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0.25- mu m pseudomorphic HEMTs processed with damage-free dry-etch gate-recess technology
0.25- mu m pseudomorphic HEMTs processed with damage-free dry-etch gate-recess technology
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0.25- mu m pseudomorphic HEMTs processed with damage-free dry-etch gate-recess technology

Ren, F. ; Pearton, S.J. ; Abernathy, C.R. ; Wu, C.S. ; Hu, M. ; Pao, C.-K. ; Wang, D.C. ; Wen, C.P.

IEEE transactions on electron devices, 1992-12, Vol.39 (12), p.2701-2706 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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2
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
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0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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3
0.5% enantiomeric excess bupivacaine (S75-R25), 0.5% racemic bupivacaine, and 2%lidocaine for facial nerve block by the O'Brien technique: a comparative study.
0.5% enantiomeric excess bupivacaine (S75-R25), 0.5% racemic bupivacaine, and 2%lidocaine for facial nerve block by the O'Brien technique: a comparative study.
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0.5% enantiomeric excess bupivacaine (S75-R25), 0.5% racemic bupivacaine, and 2%lidocaine for facial nerve block by the O'Brien technique: a comparative study.

Cangiani, Luis Henrique ; Cangiani, Luiz Marciano ; Pereira, Antônio Márcio de Safim Arantes

Revista brasileira de anestesiologia, 2007-04, Vol.57 (2), p.136-146 [Periódico revisado por pares]

Brazil

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4
0.5 m Triboelectric Nanogenerator for Efficient Blue Energy Harvesting of All‐Sea Areas
0.5 m Triboelectric Nanogenerator for Efficient Blue Energy Harvesting of All‐Sea Areas
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0.5 m Triboelectric Nanogenerator for Efficient Blue Energy Harvesting of All‐Sea Areas

Feng, Junrui ; Zhou, Hanlin ; Cao, Zhi ; Zhang, Enyang ; Xu, Shuxing ; Li, Wangtao ; Yao, Huilu ; Wan, Linyu ; Liu, Guanlin

Advanced science, 2022-12, Vol.9 (35), p.e2204407-n/a [Periódico revisado por pares]

Germany: John Wiley & Sons, Inc

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5
0.6-V- V IN 7.0-nA- I Q 0.75-mA- I L CMOS Capacitor-Less LDO for Low-Voltage Micro-Energy-Harvested Supplies
0.6-V- V IN 7.0-nA- I Q 0.75-mA- I L CMOS Capacitor-Less LDO for Low-Voltage Micro-Energy-Harvested Supplies
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0.6-V- V IN 7.0-nA- I Q 0.75-mA- I L CMOS Capacitor-Less LDO for Low-Voltage Micro-Energy-Harvested Supplies

Pereira-Rial, Oscar ; Lopez, Paula ; Carrillo, Juan M.

IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2022-02, Vol.69 (2), p.599-608 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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6
0.6-V-VIN 7.0-nA-IQ 0.75-mA-IL CMOS Capacitor-Less LDO for Low-Voltage Micro-Energy-Harvested Supplies
0.6-V-VIN 7.0-nA-IQ 0.75-mA-IL CMOS Capacitor-Less LDO for Low-Voltage Micro-Energy-Harvested Supplies
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0.6-V-VIN 7.0-nA-IQ 0.75-mA-IL CMOS Capacitor-Less LDO for Low-Voltage Micro-Energy-Harvested Supplies

Pereira-Rial, Oscar ; Lopez, Paula ; Carrillo, Juan M.

IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2022-02, Vol.69 (2), p.599-608 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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7
A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications
A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications
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A 0.000747 %/V, 64.59 dB PSRR CMOS-only voltage reference for ultra-low power WSN applications

Dong, Siwan ; Li, Jiaqi ; Bu, Sen ; Liu, Changxiang ; Tong, Xingyuan

International journal of electronics and communications, 2022-12, Vol.157, p.154420, Article 154420 [Periódico revisado por pares]

Elsevier GmbH

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8
A 0.15 μm GaN HEMT device to circuit approach towards dual-band ultra-low noise amplifier using defected ground bias technique
A 0.15 μm GaN HEMT device to circuit approach towards dual-band ultra-low noise amplifier using defected ground bias technique
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A 0.15 μm GaN HEMT device to circuit approach towards dual-band ultra-low noise amplifier using defected ground bias technique

Gupta, Manishankar Prasad ; Kumar, Sandeep ; Elizabeth Caroline, B. ; Song, Hanjung ; Kumar, Vijay ; Gorre, Pradeep

International journal of electronics and communications, 2023-08, Vol.168, p.154742, Article 154742 [Periódico revisado por pares]

Elsevier GmbH

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9
A 0.2-V 10-Bit 5-kHz SAR ADC With Dynamic Bulk Biasing and Ultra-Low-Supply-Voltage Comparator
A 0.2-V 10-Bit 5-kHz SAR ADC With Dynamic Bulk Biasing and Ultra-Low-Supply-Voltage Comparator
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A 0.2-V 10-Bit 5-kHz SAR ADC With Dynamic Bulk Biasing and Ultra-Low-Supply-Voltage Comparator

Petrie, Alexander ; Song, Yixin ; Kinnison, Whitney ; Qu, Yong ; Layton, Kent ; Chiang, Shiuh-Hua Wood

IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers, 2023-07, Vol.70 (7), p.1-12 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
A 0.37mm2 Fully-Integrated Wide Dynamic Range Sub-GHz Receiver Front-End without Off-Chip Matching Components
A 0.37mm2 Fully-Integrated Wide Dynamic Range Sub-GHz Receiver Front-End without Off-Chip Matching Components
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A 0.37mm2 Fully-Integrated Wide Dynamic Range Sub-GHz Receiver Front-End without Off-Chip Matching Components

ZHANG, Yuncheng ; LIU, Bangan ; SOMEYA, Teruki ; WU, Rui ; QIU, Junjun ; SHIRANE, Atsushi ; OKADA, Kenichi

IEICE Transactions on Electronics, 2022/07/01, Vol.E105.C(7), pp.334-342 [Periódico revisado por pares]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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