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1
Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures
Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures

Paula Ghedini Der Agopian Eddy Simoen; Anne Vandooren; Rita Rooyackers; Aaron Thean; Cor Claeys; João Antonio Martino 1959-; EUROSOI-ULIS 2016

Solid-State Electronics Volume 128, February 2017, Pages 43-47 v. 128, p. 43-47, Fev 2017

2017

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2
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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3
The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures
The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (13. 1998 Curitiba)

SBMicro'ICMP 98 : Proceedings Curitiba : SBMicro/LACTRO/LAC, 1998

Curitiba SBMicro/LACTRO/LAC 1998

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4
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)

J Bertini João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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5
The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs
The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs

Caio Cesar Mendes Bordallo Dan Mocuta; Nadine Collaert; A Alian; Eddy Simoen; Cor Claeys; Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-; Rita Rooyackers; Yannick Mols; A Van Dooren; Anne S Verhulst; D Lin

v.18, n. 1,2018 Composants nanoélectroniques

2018

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6
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K

Caio Cesar Mendes Bordallo A Vandooren; Rita Rooyackers; Yannick Mols; A Alian; Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 31, n. 12, p. 124001, 2016

2016

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7
The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs
The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1–xAs nTFETs

Caio Cesar Mendes Bordallo Nadine Collaert; Cor Claeys; Eddy Simoen; A Vandooren; Rita Rooyackers; Yannick Mols; A Alian; Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

IEEE Transactions on Electron Devices v. 64, n. 9, p. p. 3595-3600, Sept. 2017

2017

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8
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE

L M Camillo João Antonio Martino 1959-; Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (5. 1997 São Paulo)

Resumos São Paulo : USP, 1997

São Paulo USP 1997

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9
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica

Luciano Mendes Camillo João Antonio Martino 1959-

2011

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-2939 Ed.rev. )(Acessar)

10
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics

Bruno Godoy Canales Welder Fernandes Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Uthayasankaran Peralagu; Nadine Collaert; Paula Ghedini Der Agopian

Semiconductor Science and Technology Bristol v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023. Article nº 115004

Bristol 2023

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Simoen, E
  3. Agopian, P
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Transistores
  3. Microeletrônica
  4. Circuitos Integrados
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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