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1
0-homogeneous effect algebras
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0-homogeneous effect algebras

Jenča, Gejza

Soft computing (Berlin, Germany), 2010-08, Vol.14 (10), p.1111-1116 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer-Verlag

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2
(001) and (111) Single-Oriented Highly Epitaxial CeO2 Thin Films on r-Cut Sapphire Substrates
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Artigo
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(001) and (111) Single-Oriented Highly Epitaxial CeO2 Thin Films on r-Cut Sapphire Substrates

Bick, D. S. ; Sharath, S. U. ; Hoffman, I. ; Major, M. ; Kurian, J. ; Alff, L.

Journal of electronic materials, 2015-08, Vol.44 (8), p.2930-2938 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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3
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
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(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness

Laifi, J. ; Bchetnia, A.

Journal of materials science. Materials in electronics, 2022-04, Vol.33 (10), p.7587-7597 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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4
[001] HRTEM Image of Iron Nanoparticles Reveals 3-nm-Thick Passive Layer
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[001] HRTEM Image of Iron Nanoparticles Reveals 3-nm-Thick Passive Layer

Sosa, Siari S.

MRS bulletin, 2001-01, Vol.26 (1), p.9-10 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

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5
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
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(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure

SUN, L ; CHEN, Y.-F ; YU, T ; MING, N.-B ; DING, D.-S ; LU, Z.-H

Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-10, Vol.63 (4), p.381-384 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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6
0.22 THz two-stage cascaded staggered double-vane traveling-wave tube
Material Type:
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0.22 THz two-stage cascaded staggered double-vane traveling-wave tube

Deng, Guangsheng ; Chen, Ping ; Yang, Jun ; Yin, Zhiping ; Ruan, Jiufu

Journal of computational electronics, 2016-06, Vol.15 (2), p.634-638 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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7
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
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0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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8
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
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0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer

Chen, Ja-Hao ; Huang, Chih-Wei

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2018, Vol.24 (1), p.299-304 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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9
0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping
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0.4% Electrostrain at Low Field in Lead-Free Bi-Based Relaxor Piezoceramics by La Doping

Dinh, Thi Hinh ; Han, Hyoung-Su ; Tran, Vu Diem Ngoc ; Le Van, Vinh ; Hung, Nguyen Ba ; Lee, Jae-Shin

Journal of electronic materials, 2020-10, Vol.49 (10), p.6080-6086 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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10
0.7 and 3 T MRI and Sap Flow in Intact Trees: Xylem and Phloem in Action
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Artigo
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0.7 and 3 T MRI and Sap Flow in Intact Trees: Xylem and Phloem in Action

Homan, N. M. ; Windt, C. W. ; Vergeldt, F. J. ; Gerkema, E. ; Van As, H.

Applied magnetic resonance, 2007-08, Vol.32 (1-2), p.157-170 [Periódico revisado por pares]

Heidelberg: Springer Nature B.V

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