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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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2
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties
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0.006wt.%Ag-Doped Sb2O3 Nanofilms with Various Thickness: Morphological and optical properties

Haneen Abass, Khalid ; Haidar Obaid, Noor

Journal of physics. Conference series, 2019-09, Vol.1294 (2), p.22005 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
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0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets

Li, Mujie ; Zhang, Zhongyi ; Xiong, Hailang ; Wang, Linan ; Zhuang, Shuxian ; Argyle, Morris D. ; Tang, Yang ; Yang, Xiaojin ; Chen, Yongmei ; Wan, Pingyu ; Fan, Maohong

ChemElectroChem, 2020-07, Vol.7 (14), p.3089-3097 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: John Wiley & Sons, Inc

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4
0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs
0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs
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0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs

Zaknoune, M ; Cordier, Y ; Bollaert, S ; Ferre, D ; Théron, D ; Crosnier, Y

Solid-state electronics, 2000-09, Vol.44 (9), p.1685-1688 [Periódico revisado por pares]

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5
0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD
0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD
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0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD

Enoki, Takatomo ; Ito, Hiroshi ; Ikuta, Kenji ; Umeda, Yohtaro ; Ishii, Yasunobu

Microwave and optical technology letters, 1996-02, Vol.11 (3), p.135-139 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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6
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
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0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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7
0.11-2.5 GHz All-digital DLL for Mobile Memory Interface with Phase Sampling Window Adaptation to Reduce Jitter Accumulation
0.11-2.5 GHz All-digital DLL for Mobile Memory Interface with Phase Sampling Window Adaptation to Reduce Jitter Accumulation
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0.11-2.5 GHz All-digital DLL for Mobile Memory Interface with Phase Sampling Window Adaptation to Reduce Jitter Accumulation

채주형 ; 김민오 ; 홍기문 ; 박지환 ; 고형준 ; 신우열 ; 지한규 ; 정덕균 ; 김수환

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2017, 17(3), 75, pp.411-424

대한전자공학회

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8
0.125% 8 ml/h v.s. 0.25% 8 ml/h of levobupivacaine in continuous paravertebral block for postoperative analgesia in video-assisted thoracoscopic surgery: a randomized, controlled, double-blind study
0.125% 8 ml/h v.s. 0.25% 8 ml/h of levobupivacaine in continuous paravertebral block for postoperative analgesia in video-assisted thoracoscopic surgery: a randomized, controlled, double-blind study
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0.125% 8 ml/h v.s. 0.25% 8 ml/h of levobupivacaine in continuous paravertebral block for postoperative analgesia in video-assisted thoracoscopic surgery: a randomized, controlled, double-blind study

Kawase, Sayuri ; Horiuchi, Toshinori ; Nagahata, Toshihiro

Journal of anesthesia, 2023-02, Vol.37 (1), p.6-12 [Periódico revisado por pares]

Singapore: Springer Nature Singapore

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9
A 0.00426 mm2 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm2 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
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A 0.00426 mm2 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-10, Vol.11 (21), p.3477 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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10
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
Material Type:
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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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Deste Autor:

  1. Universidade Estadual de Campinas
  2. Silva, A
  3. Corpo Editorial
  4. Santos, R
  5. Lopes, M

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Physical Sciences
  3. Technology
  4. Physics
  5. Chemistry

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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