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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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2
0.4-V, 81.3-nA Bulk-Driven Single-Stage CMOS OTA with Enhanced Transconductance
0.4-V, 81.3-nA Bulk-Driven Single-Stage CMOS OTA with Enhanced Transconductance
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0.4-V, 81.3-nA Bulk-Driven Single-Stage CMOS OTA with Enhanced Transconductance

Ballo, Andrea ; Grasso, Alfio Dario ; Pennisi, Salvatore

Electronics (Basel), 2022-09, Vol.11 (17), p.2704 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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3
0.5-V Frequency Dividers in Folded MCML Exploiting Forward Body Bias: Analysis and Comparison
0.5-V Frequency Dividers in Folded MCML Exploiting Forward Body Bias: Analysis and Comparison
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0.5-V Frequency Dividers in Folded MCML Exploiting Forward Body Bias: Analysis and Comparison

Centurelli, Francesco ; Scotti, Giuseppe ; Palumbo, Gaetano

Electronics (Basel), 2021-06, Vol.10 (12), p.1383 [Periódico revisado por pares]

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4
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
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A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

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5
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

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6
A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels
A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels
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A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels

Park, Soyeon ; Kim, Jintae

Electronics (Basel), 2022-08, Vol.11 (16), p.2525 [Periódico revisado por pares]

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7
A 0.18-ns Response Time Digital LDO Regulator with Adaptive PI Controller in 180-nm CMOS
A 0.18-ns Response Time Digital LDO Regulator with Adaptive PI Controller in 180-nm CMOS
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A 0.18-ns Response Time Digital LDO Regulator with Adaptive PI Controller in 180-nm CMOS

Lv, Shengping ; Wan, Peiyuan ; Zhang, Hongda ; Geng, Jiarong ; Wen, Jiabao ; Yao, Yiming ; Chen, Zhijie

Electronics (Basel), 2021-07, Vol.10 (14), p.1668 [Periódico revisado por pares]

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8
A 0.2-Terahertz Ceramic Relic Detection System Based on Iterative Threshold Filtering Imaging and Neural Network
A 0.2-Terahertz Ceramic Relic Detection System Based on Iterative Threshold Filtering Imaging and Neural Network
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A 0.2-Terahertz Ceramic Relic Detection System Based on Iterative Threshold Filtering Imaging and Neural Network

Mao, Yiqing ; Wu, Tianxiang ; Chen, Yong ; Ma, Shunli

Electronics (Basel), 2021-09, Vol.10 (18), p.2213 [Periódico revisado por pares]

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9
A 0.3 V PNN Based 10T SRAM with Pulse Control Based Read-Assist and Write Data-Aware Schemes for Low Power Applications
A 0.3 V PNN Based 10T SRAM with Pulse Control Based Read-Assist and Write Data-Aware Schemes for Low Power Applications
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A 0.3 V PNN Based 10T SRAM with Pulse Control Based Read-Assist and Write Data-Aware Schemes for Low Power Applications

Sheu, Ming-Hwa ; Tsai, Chang-Ming ; Tsai, Ming-Yan ; Hsia, Shih-Chang ; Morsalin, S. M. Salahuddin ; Lin, Jin-Fa

Sensors (Basel, Switzerland), 2021-10, Vol.21 (19), p.6591 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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10
A 0.49–4.34 μW LC-SAR Hybrid ADC with a 10.85-Bit ENOB and 20 KS/s Bandwidth
A 0.49–4.34 μW LC-SAR Hybrid ADC with a 10.85-Bit ENOB and 20 KS/s Bandwidth
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A 0.49–4.34 μW LC-SAR Hybrid ADC with a 10.85-Bit ENOB and 20 KS/s Bandwidth

Tang, Hai ; Xu, Weilin ; Li, Haiou ; Wei, Baolin ; Wei, Xueming

Electronics (Basel), 2024-03, Vol.13 (6), p.1078 [Periódico revisado por pares]

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