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1
AC hot carrier transport in 3C- and 6H-SiC in the terahertz frequency and high lattice temperature regime
AC hot carrier transport in 3C- and 6H-SiC in the terahertz frequency and high lattice temperature regime
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AC hot carrier transport in 3C- and 6H-SiC in the terahertz frequency and high lattice temperature regime

Bezerra, E. F. ; Caetano, E. W. S. ; Freire, V. N. ; Costa, J. A. P. da ; Silva Jr, E. F. da

Brazilian journal of physics, 2002-06, Vol.32 (2a), p.442-444 [Periódico revisado por pares]

Sociedade Brasileira de Física

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2
Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces
Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces
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Adsorption of Si and C atoms over SiC (111) surfaces

Vivas, P. G. ; Silva, E. E. da ; Carvalho, L. C. de ; Alves, J. L. A. ; Alves, H. W. Leite ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R.

Brazilian journal of physics, 2002-06, Vol.32 (2a), p.396-398 [Periódico revisado por pares]

Sociedade Brasileira de Física

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3
Ambipolar carrier diffusion in In0.53Ga0.47As single quantum wells
Ambipolar carrier diffusion in In0.53Ga0.47As single quantum wells
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Ambipolar carrier diffusion in In0.53Ga0.47As single quantum wells

Monte, A.F.G. ; Silva, S.W. da ; Cruz, J.M.R. ; Morais, P.C. ; Cox, H.M.

Brazilian journal of physics, 1999-12, Vol.29 (4), p.690-693 [Periódico revisado por pares]

Sociedade Brasileira de Física

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4
An Alternative Approach to the Electric Charge Quantization with Non-global Potentials
An Alternative Approach to the Electric Charge Quantization with Non-global Potentials
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An Alternative Approach to the Electric Charge Quantization with Non-global Potentials

Barone Rangel, Fabricio Augusto ; Camilo da Silva, Giancarlo Thales ; Helayël-Neto, José Abdalla

Brazilian journal of physics, 2012-04, Vol.42 (1-2), p.120-124 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer-Verlag

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5
An analytical solution for the critical number of particles for stable bose-einstein condensation under the influence of an anisotropic potential
An analytical solution for the critical number of particles for stable bose-einstein condensation under the influence of an anisotropic potential
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An analytical solution for the critical number of particles for stable bose-einstein condensation under the influence of an anisotropic potential

Sousa, A. G. de ; Bagnato, V. S. ; Silva, A. B. F. da

Brazilian journal of physics, 2008-03, Vol.38 (1), p.104-107 [Periódico revisado por pares]

Sociedade Brasileira de Física

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6
Analysis and Growth Modeling of CuInSe2 Films by Electrodeposition for Photocell Applications
Analysis and Growth Modeling of CuInSe2 Films by Electrodeposition for Photocell Applications
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis and Growth Modeling of CuInSe2 Films by Electrodeposition for Photocell Applications

Ribeiro, Yuri H. L. ; David, Denis G. F. ; da Silva, Marcus V. S. ; da Rocha, Zênis N.

Brazilian journal of physics, 2021-06, Vol.51 (3), p.406-419 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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7
Analysis of cut-off conditions for coaxial fibers
Analysis of cut-off conditions for coaxial fibers
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Analysis of cut-off conditions for coaxial fibers

Silva, Humberto Filomeno da ; Nunes, Frederico Dias

Brazilian journal of physics, 2001-03, Vol.31 (1), p.51-57 [Periódico revisado por pares]

Sociedade Brasileira de Física

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8
Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture
Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture
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Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture

Carlos E. Viana ; Ana N. R. da Silva ; Nilton I. Morimoto ; Olivier Bonnaud

Brazilian journal of physics, 2001, Vol.31 (2) [Periódico revisado por pares]

Sociedade Brasileira de Física

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9
Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture
Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of SiO2 Thin Films Deposited by PECVD Using an Oxygen-TEOS-Argon Mixture

Viana, Carlos E. ; Silva, Ana N. R. da ; Morimoto, Nilton I. ; Bonnaud, Olivier

Brazilian journal of physics, 2001-06, Vol.31 (2), p.299-303 [Periódico revisado por pares]

Sociedade Brasileira de Física

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10
Analysis of the Reaction Rate Coefficients for Slow Bimolecular Chemical Reactions
Analysis of the Reaction Rate Coefficients for Slow Bimolecular Chemical Reactions
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of the Reaction Rate Coefficients for Slow Bimolecular Chemical Reactions

Kremer, Gilberto M. ; Silva, Tiago G.

Brazilian journal of physics, 2012-12, Vol.42 (5-6), p.400-409 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer-Verlag

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