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(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method
(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method
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(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method

Guo, Dongyun ; Ju, Yang ; Fu, Chengju ; Huang, Zhixiong ; Zhang, Lianmeng

Materials science--Poland, 2016-09, Vol.34 (3), p.555-563 [Periódico revisado por pares]

De Gruyter

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2
[0001]-Oriented InN Nanoleaves and Nanowires： Synthesis, Growth Mechanism and Optical Properties
[0001]-Oriented InN Nanoleaves and Nanowires： Synthesis, Growth Mechanism and Optical Properties
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[0001]-Oriented InN Nanoleaves and Nanowires： Synthesis, Growth Mechanism and Optical Properties

Liu, Min ; Liu, Hui-Qiang ; Chu, Sheng ; Peng, Ru-Fang ; Chu, Shi-Jin

Acta metallurgica sinica : English letters, 2016-09, Vol.29 (9), p.820-826 [Periódico revisado por pares]

Beijing: The Chinese Society for Metals

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3
(001) and (111) Single-Oriented Highly Epitaxial CeO2 Thin Films on r-Cut Sapphire Substrates
(001) and (111) Single-Oriented Highly Epitaxial CeO2 Thin Films on r-Cut Sapphire Substrates
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(001) and (111) Single-Oriented Highly Epitaxial CeO2 Thin Films on r-Cut Sapphire Substrates

Bick, D. S. ; Sharath, S. U. ; Hoffman, I. ; Major, M. ; Kurian, J. ; Alff, L.

Journal of electronic materials, 2015-08, Vol.44 (8), p.2930-2938 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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4
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
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(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness

Laifi, J. ; Bchetnia, A.

Journal of materials science. Materials in electronics, 2022-04, Vol.33 (10), p.7587-7597 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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5
[001] HRTEM Image of Iron Nanoparticles Reveals 3-nm-Thick Passive Layer
[001] HRTEM Image of Iron Nanoparticles Reveals 3-nm-Thick Passive Layer
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[001] HRTEM Image of Iron Nanoparticles Reveals 3-nm-Thick Passive Layer

Sosa, Siari S.

MRS bulletin, 2001-01, Vol.26 (1), p.9-10 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

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6
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure
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(001) textured PbTiO3 thin films grown on redoping n-Si by metalorganic chemical vapor deposition under reduced pressure

SUN, L ; CHEN, Y.-F ; YU, T ; MING, N.-B ; DING, D.-S ; LU, Z.-H

Applied physics. A, Materials science & processing, 1996-10, Vol.63 (4), p.381-384 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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7
012〉-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition
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012〉-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition

Yin, J ; Chen, X Y ; Li, Q C ; Liu, X Y ; Liu, Z G

Journal of materials science, 1998-12, Vol.33 (23), p.5631-5635 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer Nature B.V

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8
0.2BPM64-200 microfocus X-ray tube for projection radiography
0.2BPM64-200 microfocus X-ray tube for projection radiography
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0.2BPM64-200 microfocus X-ray tube for projection radiography

Potrakhov, N. N. ; Podymskii, A. A. ; Bessonov, V. B. ; Obodovskii, A. V. ; Gryaznov, A. Y. ; Potrakhov, E. N. ; Zhamova, K. K.

Russian journal of nondestructive testing, 2017-03, Vol.53 (3), p.227-230 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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9
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
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0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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10
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
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0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer

Chen, Ja-Hao ; Huang, Chih-Wei

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2018, Vol.24 (1), p.299-304 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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