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Theory of Low-Temperature Impact Ionization in High-Purity Germanium
Theory of Low-Temperature Impact Ionization in High-Purity Germanium
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Theory of Low-Temperature Impact Ionization in High-Purity Germanium

Zylbersztejn, A.

Physical review, 1962-08, Vol.127 (3), p.744-749

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Magnetoconductivity of Hot Electrons
Magnetoconductivity of Hot Electrons
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Magnetoconductivity of Hot Electrons

Budd, Herbert F.

Physical review, 1965-01, Vol.140 (6A), p.A2170-A2174

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Effect of Impurity Conduction on Electron Recombination in Germanium and Silicon at Low Temperatures
Effect of Impurity Conduction on Electron Recombination in Germanium and Silicon at Low Temperatures
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Effect of Impurity Conduction on Electron Recombination in Germanium and Silicon at Low Temperatures

Brown, Ronald A.

Physical review, 1966-01, Vol.148 (2), p.974-981

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Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces
Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces
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Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces

Fowler, A. B. ; Fang, F. F. ; Howard, W. E. ; Stiles, P. J.

Physical review letters, 1966-01, Vol.16 (20), p.901-903 [Periódico revisado por pares]

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5
Effect of Compensation on Breakdown Fields in Homogeneous Semiconductors
Effect of Compensation on Breakdown Fields in Homogeneous Semiconductors
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Effect of Compensation on Breakdown Fields in Homogeneous Semiconductors

Cohen, M. E. ; Landsberg, P. T.

Physical review, 1967-01, Vol.154 (3), p.683-689

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6
Contribution a l’étude des phénomènes de transport dans le germanium de type n a basses températures
Contribution a l’étude des phénomènes de transport dans le germanium de type n a basses températures
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Contribution a l’étude des phénomènes de transport dans le germanium de type n a basses températures

Le Hir, Jean-François

Annales des télécommunications, 1967-07, Vol.22 (7-8), p.192-210 [Periódico revisado por pares]

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7
High-Field Transport in n - Type GaAs
High-Field Transport in n - Type GaAs
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High-Field Transport in n - Type GaAs

Conwell, E. M. ; Vassell, M. O.

Physical review, 1968-01, Vol.166 (3), p.797-821

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8
Impact ionization breakdown of n-type epitaxial GaAs at liquid helium temperatures
Impact ionization breakdown of n-type epitaxial GaAs at liquid helium temperatures
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Impact ionization breakdown of n-type epitaxial GaAs at liquid helium temperatures

Reynolds, R.A.

Solid-state electronics, 1968-01, Vol.11 (4), p.385-390 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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9
Dynamic Measurement of Electron Energy Relaxation in InSb
Dynamic Measurement of Electron Energy Relaxation in InSb
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Dynamic Measurement of Electron Energy Relaxation in InSb

Maneval, J. P. ; Zylbersztejn, A. ; Budd, H. F.

Physical review letters, 1969-01, Vol.23 (15), p.848-851 [Periódico revisado por pares]

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10
PHYSICAL PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS WITH NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
PHYSICAL PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS WITH NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY
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PHYSICAL PHENOMENA IN SEMICONDUCTORS WITH NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY

Volkov, A F ; Kogan, Sh M

Soviet physics. Uspekhi, 1969-06, Vol.11 (6), p.881-903

IOP Publishing

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Deste Autor:

  1. Zylbersztejn, D
  2. Cardozo, K
  3. Intasqui, P
  4. Cordeiro, F
  5. Herrero, C

Neste Assunto:

  1. Science & Technology
  2. Physical Sciences
  3. Life Sciences & Biomedicine
  4. Physics
  5. Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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