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1
Strain dependence of the Fermi surface in cadmium and rhenium from ultrasonic velocity oscillations
Strain dependence of the Fermi surface in cadmium and rhenium from ultrasonic velocity oscillations
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Strain dependence of the Fermi surface in cadmium and rhenium from ultrasonic velocity oscillations

Martins, J. M. V. ; Missell, F. P. ; Pereira, J. R.

Physical review. B, Condensed matter, 1978-01, Vol.17 (12), p.4633-4639

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2
Conformational defects in Durham-route polyacetylene
Conformational defects in Durham-route polyacetylene
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Conformational defects in Durham-route polyacetylene

Friend, R.H ; Bradley, D.D.C ; Pereira, C.M ; Townsend, P.D ; Bott, D.C ; Williams, K.P.J

Synthetic metals, 1986, Vol.13 (1), p.101-112 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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3
Dipolar NMR line shape in a crystal with nonequivalent sites
Dipolar NMR line shape in a crystal with nonequivalent sites
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dipolar NMR line shape in a crystal with nonequivalent sites

Engelsberg, M ; de Souza RE ; Valadares Pereira PH

Physical review. B, Condensed matter, 1989-07, Vol.40 (1), p.106-110

United States

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4
Complex formation in Mn-doped GaP samples
Complex formation in Mn-doped GaP samples
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Complex formation in Mn-doped GaP samples

Monteiro, Teresa ; Pereira, Estela

Applied surface science, 1991-06, Vol.50 (1), p.253-256 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Magnetic Behaviour of Thin Film Multilayers and Phases of the FeNd and FeNdB System
Magnetic Behaviour of Thin Film Multilayers and Phases of the FeNd and FeNdB System
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Magnetic Behaviour of Thin Film Multilayers and Phases of the FeNd and FeNdB System

Pereira, L. G. ; Teixeira, S. R. ; Schreiner, W. H. ; Missell, F. P. ; Baumvol, I. J. R.

Physica status solidi. A, Applied research, 1991-06, Vol.125 (2), p.625-634

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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6
Highly uniform E/D MESFETs by Si ion-implantation and methane/hydrogen plasma gate recessing
Highly uniform E/D MESFETs by Si ion-implantation and methane/hydrogen plasma gate recessing
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Highly uniform E/D MESFETs by Si ion-implantation and methane/hydrogen plasma gate recessing

Zou, G ; Pereira, R ; Potter, M de ; Hove, M Van ; Raedt, W De ; Rossum, M Van

Semiconductor science and technology, 1991-09, Vol.6 (9), p.912-915, Article 912 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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7
Time resolved photoluminescence and cathodoluminescence of CVD diamond films
Time resolved photoluminescence and cathodoluminescence of CVD diamond films
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Time resolved photoluminescence and cathodoluminescence of CVD diamond films

Pereira, E. ; Pereira, L. ; Raue, R.

Diamond and related materials, 1992-06, Vol.1 (8), p.901-905 [Periódico revisado por pares]

LAUSANNE: Elsevier B.V

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8
QUANTUM-DEGENERACY EFFECTS IN THE MOBILITY OF THE ELECTRON FLUID ON THE SURFACE OF HELIUM
QUANTUM-DEGENERACY EFFECTS IN THE MOBILITY OF THE ELECTRON FLUID ON THE SURFACE OF HELIUM
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QUANTUM-DEGENERACY EFFECTS IN THE MOBILITY OF THE ELECTRON FLUID ON THE SURFACE OF HELIUM

PEREIRA, MC ; MARQUES, GE ; STUDART, N

Physical review. B, Condensed matter, 1992-07, Vol.46 (3), p.1857-1859

COLLEGE PK: AMERICAN PHYSICAL SOC

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9
Possible observation of multiple-particle tunneling in niobium tunnel junctions
Possible observation of multiple-particle tunneling in niobium tunnel junctions
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Possible observation of multiple-particle tunneling in niobium tunnel junctions

FODEN, C. L ; RANDO, N ; VAN DORDRECHT, A ; PEACOCK, A ; LUMLEY, J ; PEREIRA, C

Physical review. B, Condensed matter, 1993-02, Vol.47 (6), p.3316-3322 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Physical Society

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10
UV and ozone cleaning of GaSb (100) surfaces prior to MBE growth
UV and ozone cleaning of GaSb (100) surfaces prior to MBE growth
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UV and ozone cleaning of GaSb (100) surfaces prior to MBE growth

Bertru, N. ; Nouaoura, M. ; Bonnet, J. ; Lassabatere, L. ; Bedel, E. ; Munoz-yague, A.

Applied surface science, 1993-07, Vol.68 (3), p.357-359 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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