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(040)-Crystal Facet Engineering of BiVO4 Plate Photoanodes for Solar Fuel Production
(040)-Crystal Facet Engineering of BiVO4 Plate Photoanodes for Solar Fuel Production
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(040)-Crystal Facet Engineering of BiVO4 Plate Photoanodes for Solar Fuel Production

Kim, Chang Woo ; Son, Young Seok ; Kang, Myung Jong ; Kim, Do Yoon ; Kang, Young Soo

Advanced energy materials, 2016-02, Vol.6 (4), p.n/a [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Blackwell Publishing Ltd

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2
0.69 THz room temperature heterodyne detection using GaN nanodiodes
0.69 THz room temperature heterodyne detection using GaN nanodiodes
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.69 THz room temperature heterodyne detection using GaN nanodiodes

Daher, C ; Torres, J ; ñiguez-de-la-Torre, I ; Nouvel, P ; Varani, L ; Sangaré, P ; Ducournau, G ; Gaquiere, C ; Mateos, J ; González, T

19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 2015, Vol.647 (1), p.12006 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
0D/1D organic ferroelectrics/multiferroics for ultrahigh density integration: Helical hydrogen-bonded chains, multi-mode switching, and proton synaptic transistors
0D/1D organic ferroelectrics/multiferroics for ultrahigh density integration: Helical hydrogen-bonded chains, multi-mode switching, and proton synaptic transistors
Material Type:
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0D/1D organic ferroelectrics/multiferroics for ultrahigh density integration: Helical hydrogen-bonded chains, multi-mode switching, and proton synaptic transistors

Ren, Yangyang ; Wu, Menghao

The Journal of chemical physics, 2021-01, Vol.154 (4), p.044705-044705 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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4
1.2 kV GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN wafer using a CMOS-compatible contact material
1.2 kV GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN wafer using a CMOS-compatible contact material
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1.2 kV GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN wafer using a CMOS-compatible contact material

Liu, Xinke ; Liu, Qiang ; Li, Chao ; Wang, Jianfeng ; Yu, Wenjie ; Xu, Ke ; Ao, Jin-Ping

Japanese Journal of Applied Physics, 2017-02, Vol.56 (2), p.26501-026501 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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5
1.3 micron electroabsorption reflection modulators on GaAs
1.3 micron electroabsorption reflection modulators on GaAs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1.3 micron electroabsorption reflection modulators on GaAs

Lord, S M ; Trezza, J A ; Larson, M C ; Pezeshki, B ; HARRIS, J S, J R

Applied physics letters, 1993-08, Vol.63 (6), p.806-808 [Periódico revisado por pares]

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6
1.3-micron P-i-N photodetector using GaAs with As precipitates (GaAs:As)
1.3-micron P-i-N photodetector using GaAs with As precipitates (GaAs:As)
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1.3-micron P-i-N photodetector using GaAs with As precipitates (GaAs:As)

WARREN, ALANC ; BURROUGHES, J H ; WOODALL, JERRYM ; McInturff, D T ; HODGSON, RODNEYT ; MELLOCH, MICHAELR

IEEE electron device letters, 1991-10, Vol.12, p.527-529 [Periódico revisado por pares]

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7
1.3-μm n-type modulation-doped AlGaInAs/AlGaInAs strain-compensated multiple-quantum-well laser diodes
1.3-μm n-type modulation-doped AlGaInAs/AlGaInAs strain-compensated multiple-quantum-well laser diodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1.3-μm n-type modulation-doped AlGaInAs/AlGaInAs strain-compensated multiple-quantum-well laser diodes

Lei, Po-Hsun ; Lin, Chia-Chien ; Ho, Wen-Jeng ; Wu, Meng-Chyi ; Laih, Lih-Wen

IEEE transactions on electron devices, 2002-07, Vol.49 (7), p.1129-1135 [Periódico revisado por pares]

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8
1.34 µm Q-Switched Nd:YVO4 Laser with a Reflective WS2 Saturable Absorber
1.34 µm Q-Switched Nd:YVO4 Laser with a Reflective WS2 Saturable Absorber
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1.34 µm Q-Switched Nd:YVO4 Laser with a Reflective WS2 Saturable Absorber

Wang, Taijin ; Wang, Yonggang ; Wang, Jiang ; Bai, Jing ; Li, Guangying ; Lou, Rui ; Cheng, Guanghua

Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2019-08, Vol.9 (9), p.1200 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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9
1,3,5-Tris(phenyl-2-benzimidazole)-benzene cathode buffer layer thickness dependence in solution-processable organic solar cell based on 1,4,8,11,15,18,22,25-octahexylphthalocyanine
1,3,5-Tris(phenyl-2-benzimidazole)-benzene cathode buffer layer thickness dependence in solution-processable organic solar cell based on 1,4,8,11,15,18,22,25-octahexylphthalocyanine
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1,3,5-Tris(phenyl-2-benzimidazole)-benzene cathode buffer layer thickness dependence in solution-processable organic solar cell based on 1,4,8,11,15,18,22,25-octahexylphthalocyanine

Banoukepa, Gilles De Roméo ; Fujii, Akihiko ; Shimizu, Yo ; Ozaki, Masanori

Japanese Journal of Applied Physics, 2015-04, Vol.54 (4S), p.4-1-04DK11-5 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer
1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer

He, Wei ; Li, Jian ; Liao, Zeliang ; Lin, Feng ; Wu, Junye ; Wang, Bing ; Wang, Maojun ; Liu, Nan ; Chiu, Hsien-Chin ; Kuo, Hao-Chung ; Lin, Xinnan ; Li, Jingbo ; Liu, Xinke

Nanoscale research letters, 2022-01, Vol.17 (1), p.14-14, Article 14 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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