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Application of polysiloxane resists to multilayer resists systems for high-resolution microlithography
Application of polysiloxane resists to multilayer resists systems for high-resolution microlithography
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Application of polysiloxane resists to multilayer resists systems for high-resolution microlithography

Rosilio, Charles ; Rosilio, André ; Buiguez, François

Microelectronic engineering, 1983, Vol.1 (3), p.197-208 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
Reactive sputter etching of Al in BCl 3
Reactive sputter etching of Al in BCl 3
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Reactive sputter etching of Al in BCl 3

Lehmann, H.W. ; Widmer, R.

Microelectronic engineering, 1983, Vol.1 (1), p.3-27 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Citações Citado por
3
Oxygen ion-beam etch resistance of metal-free and organosilicon resist materials
Oxygen ion-beam etch resistance of metal-free and organosilicon resist materials
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Oxygen ion-beam etch resistance of metal-free and organosilicon resist materials

Gokan, Hiroshi ; Ohnishi, Yoshitake ; Saigo, Kazuhide

Microelectronic engineering, 1983, Vol.1 (4), p.251-262 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Citações Citado por
4
Reactive sputter etching of Al in BCl3
Reactive sputter etching of Al in BCl3
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Reactive sputter etching of Al in BCl3

Lehmann, H.W. ; Widmer, R.

Microelectronic engineering, 1983-09, Vol.1 (1), p.3-27 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

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5
Ion-beam etched multi-level resist technique for electroplating of submicron gold absorber patterns
Ion-beam etched multi-level resist technique for electroplating of submicron gold absorber patterns
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ion-beam etched multi-level resist technique for electroplating of submicron gold absorber patterns

Schneider-Gmelch, B. ; Tischer, P.

Microelectronic engineering, 1984, Vol.2 (4), p.227-243 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
Optimization of via hole plasma etching in polyimide for overlay interconnections
Optimization of via hole plasma etching in polyimide for overlay interconnections
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Optimization of via hole plasma etching in polyimide for overlay interconnections

Deschler, M. ; Balk, P.

Microelectronic engineering, 1986, Vol.4 (3), p.207-219 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Redeposition in ion milling
Redeposition in ion milling
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Redeposition in ion milling

Müller, K.P. ; Pelka, J.

Microelectronic engineering, 1987, Vol.7 (1), p.91-101 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Magnetically enhanced reactive ion etching (MERIE) with different field configurations
Magnetically enhanced reactive ion etching (MERIE) with different field configurations
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetically enhanced reactive ion etching (MERIE) with different field configurations

Müller, K.P. ; Heinrich, F. ; Mader, H.

Microelectronic engineering, 1989, Vol.10 (1), p.55-67 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS
Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS

Cabanal, J.P. ; Haond, M.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.651-654 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Dry etching of thermal SiO 2 using SF 6-based plasma for VLSI fabrication
Dry etching of thermal SiO 2 using SF 6-based plasma for VLSI fabrication
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Dry etching of thermal SiO 2 using SF 6-based plasma for VLSI fabrication

Yoon, Soon Fatt

Microelectronic engineering, 1991, Vol.14 (1), p.23-40 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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