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| 1 |
Material Type: Artigo
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Impurity concentrations in the regrown region of InGe alloyed junctionsRoberts, F.E.Solid-state electronics, 1961, Vol.2 (1), p.8,IN1,11-10,IN2,13 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 2 |
Material Type: Artigo
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Current dependence of α cb in the alloy junction transistorSato, Kogo ; Tomono, MasamiSolid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (1), p.29,IN5-36,IN5 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 3 |
Material Type: Artigo
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Electrode geometries for which the transverse magnetoresistance is equivalent to that of a corbino diskGreen, MiltonSolid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (3), p.314-316 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 4 |
Material Type: Artigo
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Injection electroluminescenceFischer, Albrecht G.Solid-state electronics, 1961-01, Vol.2 (4), p.232-246 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 5 |
Material Type: Artigo
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The performance of a convectively cooled thermoelement used for power generationRollinger, Charles N. ; Sunderland, J.EdwardSolid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (3), p.268-277 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 6 |
Material Type: Artigo
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Nomograph technique for doping determination in germanium and silicon crystal growingHemmat, N. ; MacDonald, A.L.Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (3), p.309-314 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 7 |
Material Type: Artigo
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Etch pits in germanium and their relation to hardnessDale, J.R. ; Brice, J.C.Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (2), p.105-106 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 8 |
Material Type: Artigo
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Contact-etching of semiconductorsRindner, W. ; Lavine, J.M.Solid-state electronics, 1961-01, Vol.2 (2), p.190-190 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 9 |
Material Type: Artigo
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Molten-diffused silicon transistorsTauchi, ShojiSolid-state electronics, 1961-01, Vol.2 (4), p.216-221 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
| 10 |
Material Type: Artigo
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A simplified approach to transistor admittancesLindmayer, J. ; Wrigley, C.Solid-state electronics, 1961-01, Vol.3 (3), p.278-290 [Periódico revisado por pares]Elsevier LtdTexto completo disponível |
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