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1
0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks
0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks
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0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks

Chen, Yung-Tin ; Lin, Chia-Hui ; Lin, Hua Tai ; Hsieh, Hung-Chang ; Yu, Shinn Sheng ; Yen, Anthony

SPIE 2000

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2
0.3-nm SASE-FEL at PAL
0.3-nm SASE-FEL at PAL
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0.3-nm SASE-FEL at PAL

Oh, J.S ; Kim, D.E ; Kim, E.S ; Park, S.J ; Kang, H.S ; Lee, T.Y ; Koo, T.Y ; Chang, S.S ; Chung, C.W ; Nam, S.H ; Namkung, W

Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2004-08, Vol.528 (1), p.582-585 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
0.31k1 ArF lithography for 70nm DRAM
0.31k1 ArF lithography for 70nm DRAM
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0.31k1 ArF lithography for 70nm DRAM

BOK, Cheolkyu ; LEE, Ki-Lyoung ; KIM, Jin-Woong ; PARK, Jun-Taek ; HWANG, Young-Sun ; EOM, Tae-Seung ; KIM, Seo-Min ; LEE, Geunsu ; JUNG, Jae-Chang ; LIM, Chang-Moon ; MOON, Seung-Chan

SPIE proceedings series, 2005

Bellingham WA: SPIE

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4
0.9V 12mW 2MSPS algorithmic ADC with 81dB SFDR
0.9V 12mW 2MSPS algorithmic ADC with 81dB SFDR
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0.9V 12mW 2MSPS algorithmic ADC with 81dB SFDR

Jipeng Li ; Gil-Cho Ahn ; Dong-Young Chang ; Un-Ku Moon

2004 Symposium on VLSI Circuits. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.04CH37525), 2004, p.436-439

IEEE

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5
1.25-Gb/s Operation at 50-GHz Channel Spacing Based on Intensity Noise Suppression of Wavelength-Locked Fabry-PÉrot Laser Diode
1.25-Gb/s Operation at 50-GHz Channel Spacing Based on Intensity Noise Suppression of Wavelength-Locked Fabry-PÉrot Laser Diode
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1.25-Gb/s Operation at 50-GHz Channel Spacing Based on Intensity Noise Suppression of Wavelength-Locked Fabry-PÉrot Laser Diode

Jeong, J S ; Lee, H.-K. ; Lee, C.-H.

IEEE photonics technology letters, 2009-05, Vol.21 (9), p.602-604

IEEE

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6
A 0.1-μm 1.8-V 256-Mb phase-change random access memory (PRAM) with 66-MHz synchronous burst-read operation
A 0.1-μm 1.8-V 256-Mb phase-change random access memory (PRAM) with 66-MHz synchronous burst-read operation
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A 0.1-μm 1.8-V 256-Mb phase-change random access memory (PRAM) with 66-MHz synchronous burst-read operation

KANG, Sangbeom ; WOO YEONG CHO ; YU HWAN RO ; KIM, Suyeon ; HA, Choong-Duk ; KIM, Ki-Sung ; KIM, Young-Ran ; KIM, Du-Eung ; KWAK, Choong-Keun ; BYUN, Hyun-Geun ; JEONG, Gitae ; JEONG, Hongsik ; CHO, Beak-Hyung ; KIM, Kinam ; SHIN, Yunsueng ; LEE, Kwang-Jin ; LEE, Chang-Soo ; OH, Hyung-Rok ; CHOI, Byung-Gil ; QI WANG ; KIM, Hye-Jin ; PARK, Mu-Hui

IEEE journal of solid-state circuits, 2007, Vol.42 (1), p.210-218 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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7
A 0.18 μm 3.1-4.8 GHz CMOS wideband single to differential LNA for UWB system
A 0.18 μm 3.1-4.8 GHz CMOS wideband single to differential LNA for UWB system
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A 0.18 μm 3.1-4.8 GHz CMOS wideband single to differential LNA for UWB system

Jeong, Moo I. ; Lee, Jung S. ; Myung, No C. ; Kim, Jong M. ; Lee, Chang S.

Microwave and optical technology letters, 2009-07, Vol.51 (7), p.1778-1781 [Periódico revisado por pares]

Hoboken: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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8
A 0.4-4-Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs
A 0.4-4-Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs
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A 0.4-4-Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs

Chang, K.-Y.K. ; Wei, J. ; Huang, C. ; Li, S. ; Donnelly, K. ; Horowitz, M. ; Yingxuan Li ; Sidiropoulos, S.

IEEE journal of solid-state circuits, 2003-05, Vol.38 (5), p.747-754 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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9
A 0.4-4Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs
A 0.4-4Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs
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A 0.4-4Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs

KEN CHANG, Kun-Yung ; WEI, Jason ; LI, Simon ; YINGXUAN LI ; DONNELLY, Kevin ; HUANG, Charlie ; SIDIROPOULOS, Stefanos

Piscataway NJ: IEEE 2002

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10
A 0.4-mW/Gb/s Near-Ground Receiver Front-End With Replica Transconductance Termination Calibration for a 16-Gb/s Source-Series Terminated Transceiver
A 0.4-mW/Gb/s Near-Ground Receiver Front-End With Replica Transconductance Termination Calibration for a 16-Gb/s Source-Series Terminated Transceiver
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A 0.4-mW/Gb/s Near-Ground Receiver Front-End With Replica Transconductance Termination Calibration for a 16-Gb/s Source-Series Terminated Transceiver

Kaviani, K. ; Amirkhany, A. ; Huang, C. ; Phuong Le ; Beyene, W. T. ; Madden, C. ; Saito, K. ; Sano, K. ; Murugan, V. I. ; Kun-Yung Ken Chang ; Yuan, X. C.

IEEE journal of solid-state circuits, 2013-03, Vol.48 (3), p.636-648 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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