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1
(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes
(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes
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(001) 3C SiC/Ni contact interface: In situ XPS observation of annealing induced Ni2Si formation and the resulting barrier height changes

Tengeler, Sven ; Kaiser, Bernhard ; Chaussende, Didier ; Jaegermann, Wolfram

Applied surface science, 2017-04, Vol.400, p.6-13 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
(001) Facet-exposed anatase-phase TiO2 nanotube hybrid reduced graphene oxide composite: Synthesis, characterization and application in photocatalytic degradation
(001) Facet-exposed anatase-phase TiO2 nanotube hybrid reduced graphene oxide composite: Synthesis, characterization and application in photocatalytic degradation
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(001) Facet-exposed anatase-phase TiO2 nanotube hybrid reduced graphene oxide composite: Synthesis, characterization and application in photocatalytic degradation

Zhou, Xun ; Shi, Tiejun ; Wu, Jing ; Zhou, Haiou

Applied surface science, 2013-12, Vol.287, p.359-368 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
(001) Facets optimized surface oxygen vacancies in TiO2 films to enhance photocatalytic antibacterial and hydrophilic properties
(001) Facets optimized surface oxygen vacancies in TiO2 films to enhance photocatalytic antibacterial and hydrophilic properties
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(001) Facets optimized surface oxygen vacancies in TiO2 films to enhance photocatalytic antibacterial and hydrophilic properties

Huang, Zhiquan ; Li, Zhongshu ; Zhang, Xiyu ; Zhang, Zhongxing ; Chen, Jian

Applied surface science, 2023-04, Vol.616, p.156571, Article 156571 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester

Kim, Jong-Hyun ; Woo, Jong-Un ; Yee, Yeon-Jeong ; Kim, In-Su ; Shin, Ho-Sung ; Hwang, Hyun-Gyu ; Kweon, Sang Hyo ; Choi, Hyun-Ju ; Nahm, Sahn

Applied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147871, Article 147871 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures
(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures
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(001) Surfaces of GaP and InP: structural motifs, electronic states and optical signatures

Schmidt, W.G. ; Bernholc, J. ; Bechstedt, F.

Applied surface science, 2000-10, Vol.166 (1), p.179-184 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
{010}-Oriented micro-flower-like hierarchical Bi2WO6 with high adsorptivity and visible-light-driven photoactivity: experimental studies and first-principles modeling
{010}-Oriented micro-flower-like hierarchical Bi2WO6 with high adsorptivity and visible-light-driven photoactivity: experimental studies and first-principles modeling
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{010}-Oriented micro-flower-like hierarchical Bi2WO6 with high adsorptivity and visible-light-driven photoactivity: experimental studies and first-principles modeling

Wang, Jiawei ; Li, Jiajun ; Zhao, Naiqin ; Sha, Junwei ; Hao, Shuang ; Liu, Enzuo ; Shi, Chunsheng ; He, Chunnian ; Wang, Defa

Applied surface science, 2015-01, Vol.324, p.698-704 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
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0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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8
0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks
0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks
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0.13-μm optical lithography for random logic devices using 248-nm attenuated phase-shifting masks

Chen, Yung-Tin ; Lin, Chia-Hui ; Lin, Hua Tai ; Hsieh, Hung-Chang ; Yu, Shinn Sheng ; Yen, Anthony

SPIE 2000

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9
0.25 μm trilevel lithography using KTI 747 negative resist for the planarizing layer
0.25 μm trilevel lithography using KTI 747 negative resist for the planarizing layer
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0.25 μm trilevel lithography using KTI 747 negative resist for the planarizing layer

KUNG, E. H ; TIMKO, A. G

Journal of the Electrochemical Society, 1990-11, Vol.137 (11), p.3568-3573 [Periódico revisado por pares]

Pennington, NJ: Electrochemical Society

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10
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength

Nakao, Shuji ; Tsujita, Kouichirou ; Arimoto, Ichiriou ; Wakamiya, Wataru

SPIE 2000

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