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1	Material Type: Artículo		Integrierte resonanzverstärker ohne induktivitäten Offner, M. Microelectronics and reliability, 1966, Vol.5 (1), p.57-71 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
2	Material Type: Artículo		Wire-to-wire welding Allen, D.W. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (3), p.219,IN19,221-220,IN22,222 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
3	Material Type: Artículo		Epitaxial deposition of silicon using ultra-thin alloy zone crystallisation Filby, J.D. ; Nielsen, S. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (1), p.11,IN3,13-12,IN10,14 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
4	Material Type: Artículo		Computer simulation and analysis techniques for reliable circuit design Hochwald, W. ; McQuade, K.F. ; Scheffler, H.S. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (2), p.97-128 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
5	Material Type: Artículo		A chemical polish method for the preparation of silicon substrates for epitaxial deposition Fairhurst, K.M. ; Rich, G.J. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (1), p.15,IN11,17-16,IN14,18 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
6	Material Type: Artículo		A new functional device performing a flip-flop circuit function Ambroziak, A. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (4), p.343,IN25,345-344,IN26,345 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
7	Material Type: Artículo		Modern basic concepts in component part reliability Ryerson, C.M. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (4), p.239-250 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
8	Material Type: Artículo		A vapour etching technique for the photolithography of silicon dioxide Holmes, P.J. ; Snell, J.E. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (4), p.337-341 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
9	Material Type: Artículo		Welded and bonded connexions for microelectronics Clarke, D.J. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (1), p.73,IN15,75-74,IN22,83 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
10	Material Type: Artículo		Localized breakdown in Ge mesa diodes due to inclusions Sulway, D.V. ; Davies, I.G. ; Hughes, K.A. ; Thornton, P.R. ; Holeman, B.R. Microelectronics and reliability, 1966-01, Vol.5 (4), p.323,IN21,325-324,IN24,327 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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