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1
0-dB wavelength conversion using direct-bonded QPM-Zn : LiNbO3 ridge waveguide
0-dB wavelength conversion using direct-bonded QPM-Zn : LiNbO3 ridge waveguide
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0-dB wavelength conversion using direct-bonded QPM-Zn : LiNbO3 ridge waveguide

Nishida, Y. ; Miyazawa, H. ; Asobe, M. ; Tadanaga, O. ; Suzuki, H.

IEEE photonics technology letters, 2005-05, Vol.17 (5), p.1049-1051

New York: IEEE

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2
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
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(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness

Laifi, J. ; Bchetnia, A.

Journal of materials science. Materials in electronics, 2022-04, Vol.33 (10), p.7587-7597 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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3
0.1- mu m gate-length superconducting FET
0.1- mu m gate-length superconducting FET
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0.1- mu m gate-length superconducting FET

Nishino, T. ; Hatano, M. ; Hasegawa, H. ; Murai, F. ; Kure, T. ; Hiraiwa, A. ; Yagi, K. ; Kawabe, U.

IEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10 (2), p.61-63 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
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0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
0.2–4.35 GHz highly linear CMOS balun-LNA with substrate noise optimization
0.2–4.35 GHz highly linear CMOS balun-LNA with substrate noise optimization
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0.2–4.35 GHz highly linear CMOS balun-LNA with substrate noise optimization

Huang, Dong ; Qian, Weiqiang ; Khan, Mehdi ; Diao, Shengxi ; Lin, Fujiang

Analog integrated circuits and signal processing, 2015-06, Vol.83 (3), p.285-293 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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6
0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm
0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.2 V Drive Voltage Substrate Removed Electro-Optic Mach-Zehnder Modulators With MQW Cores at 1.55 μm

Dogru, Selim ; Dagli, Nadir

Journal of lightwave technology, 2014-02, Vol.32 (3), p.435-439 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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7
0.25pA/Bit Ultra-Low-Leakage 6T Single-Port SRAM on 22nm Bulk Process for IoT Applications
0.25pA/Bit Ultra-Low-Leakage 6T Single-Port SRAM on 22nm Bulk Process for IoT Applications
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0.25pA/Bit Ultra-Low-Leakage 6T Single-Port SRAM on 22nm Bulk Process for IoT Applications

Asthana, Vivek ; Kumar, M. Jagadesh ; Kulshrestha, Ayush ; Kumar, Munish ; Banik, Saikat Kumar ; Aggarwal, Shruti

2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2020, p.1-5

IEEE

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8
0.5-20-GHz UWB Distributed Combiners and Dividers for Multi-Antenna Transceivers
0.5-20-GHz UWB Distributed Combiners and Dividers for Multi-Antenna Transceivers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5-20-GHz UWB Distributed Combiners and Dividers for Multi-Antenna Transceivers

Testa, Paolo Valerio ; Carta, Corrado ; Barahona, Marvin ; Ellinger, Frank

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2017-09, Vol.65 (9), p.3087-3098 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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9
0.5 keV Xe+ ion beam nano smoothing of ULE® substrate after processing with 3.0―10.0 keV Xe+ ion beam
0.5 keV Xe+ ion beam nano smoothing of ULE® substrate after processing with 3.0―10.0 keV Xe+ ion beam
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5 keV Xe+ ion beam nano smoothing of ULE® substrate after processing with 3.0―10.0 keV Xe+ ion beam

MORIJIRI, K ; ENDO, H ; MORIKAAWA, K ; PAHLOVY, S. A ; MIYAMOTO, I

Microelectronic engineering, 2011-08, Vol.88 (8), p.2694-2696 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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10
0.58 mΩ⋅cm²/523 V GaN Vertical Schottky Barrier Diode With 15.6 kA/cm² Surge Current Enabled by Laser Lift-Off/ Annealing and N-Ion Implantation
0.58 mΩ⋅cm²/523 V GaN Vertical Schottky Barrier Diode With 15.6 kA/cm² Surge Current Enabled by Laser Lift-Off/ Annealing and N-Ion Implantation
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0.58 mΩ⋅cm²/523 V GaN Vertical Schottky Barrier Diode With 15.6 kA/cm² Surge Current Enabled by Laser Lift-Off/ Annealing and N-Ion Implantation

Qi, Wei ; Zhou, Feng ; Ma, Teng ; Xu, Weizong ; Zhou, Dong ; Ren, Fangfang ; Chen, Dunjun ; Zhang, Rong ; Zheng, Youdou ; Lu, Hai

IEEE electron device letters, 2024-06, Vol.45 (6), p.964-967 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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