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1
Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE
Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE
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Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1−xAs alloys grown by MBE

Ferreira da Silva, A. ; Persson, C. ; Berggren, K.-F. ; Pepe, I. ; Santos Alves, A. ; de Oliveira, A.G.

Microelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.423-429 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
Comparison of dark current, responsivity and detectivity in different intersubband infrared photodetectors
Comparison of dark current, responsivity and detectivity in different intersubband infrared photodetectors
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Comparison of dark current, responsivity and detectivity in different intersubband infrared photodetectors

Ryzhii, V ; Khmyrova, I ; Ryzhii, M ; Mitin, V

Semiconductor science and technology, 2004-01, Vol.19 (1), p.8-16 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
Synthesis and optoelectronic characterization of conjugated phosphorescent polyelectrolytes with a neutral Ir complex incorporated into the polymer backbone and their neutral precursors
Synthesis and optoelectronic characterization of conjugated phosphorescent polyelectrolytes with a neutral Ir complex incorporated into the polymer backbone and their neutral precursors
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Synthesis and optoelectronic characterization of conjugated phosphorescent polyelectrolytes with a neutral Ir complex incorporated into the polymer backbone and their neutral precursors

Zhang, Yong ; Xu, Yunhua ; Niu, Qiaoli ; Peng, Junbiao ; Yang, Wei ; Zhu, Xuhui ; Cao, Yong

Journal of materials chemistry, 2007, Vol.17 (10), p.992-1001 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Royal Society of Chemistry

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4
Optical and structural analysis of porous silicon coated with GZO films using rf magnetron sputtering
Optical and structural analysis of porous silicon coated with GZO films using rf magnetron sputtering
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Optical and structural analysis of porous silicon coated with GZO films using rf magnetron sputtering

Prabakaran, R. ; Monteiro, T. ; Peres, M. ; Viana, A.S. ; da Cunha, A.F. ; Águas, H. ; Gonçalves, A. ; Fortunato, E. ; Martins, R. ; Ferreira, I.

Thin solid films, 2007-10, Vol.515 (24), p.8664-8669 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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5
Electroluminescent characteristics of spin-assembled multilayer films with confined layer structure
Electroluminescent characteristics of spin-assembled multilayer films with confined layer structure
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Electroluminescent characteristics of spin-assembled multilayer films with confined layer structure

Kim, Hosub ; Cho, Jinhan ; Kim, Dong Young ; Char, Kookheon

Thin solid films, 2007-11, Vol.516 (1), p.78-83 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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6
Transparent electronics: Schottky barrier and heterojunction considerations
Transparent electronics: Schottky barrier and heterojunction considerations
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Transparent electronics: Schottky barrier and heterojunction considerations

Wager, J.F.

Thin solid films, 2008-02, Vol.516 (8), p.1755-1764 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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7
Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
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Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors

Guimarães, Sonia ; de Lima, Joaquim Tavares ; Petoilho, José Carlos ; de Lucena, Emerson Ferreira ; Hwang, Míriam Kasumi ; Campos, Élson

Journal of crystal growth, 2008-04, Vol.310 (7), p.1657-1663 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Bacterial cellulose membrane as flexible substrate for organic light emitting devices
Bacterial cellulose membrane as flexible substrate for organic light emitting devices
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Bacterial cellulose membrane as flexible substrate for organic light emitting devices

Legnani, C. ; Vilani, C. ; Calil, V.L. ; Barud, H.S. ; Quirino, W.G. ; Achete, C.A. ; Ribeiro, S.J.L. ; Cremona, M.

Thin solid films, 2008-12, Vol.517 (3), p.1016-1020 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Deposition of silicon nitride thin films by hot-wire CVD at 100 °C and 250 °C
Deposition of silicon nitride thin films by hot-wire CVD at 100 °C and 250 °C
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Deposition of silicon nitride thin films by hot-wire CVD at 100 °C and 250 °C

Alpuim, P. ; Gonçalves, L.M. ; Marins, E.S. ; Viseu, T.M.R. ; Ferdov, S. ; Bourée, J.E.

Thin solid films, 2009-04, Vol.517 (12), p.3503-3506 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
Growth of ITO thin films on polyimide substrate by bias sputtering
Growth of ITO thin films on polyimide substrate by bias sputtering
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Growth of ITO thin films on polyimide substrate by bias sputtering

Nisha, M. ; Vanaja, K.A. ; Sanal, K.C. ; Saji, K.J. ; Aneesh, P.M. ; Jayaraj, M.K.

Materials science in semiconductor processing, 2010-02, Vol.13 (1), p.64-69 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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