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Caderno de Laboratório
Caderno de Laboratório
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Produção Técnica 		Adicionar ao Meu Espaço

Caderno de Laboratório

Universidade de São Paulo. Instituto de Ciências Biomédicas. Departamento de Microbiologia Mario Julio Avila Campos

São Paulo USP/ICB/BMM 2017

Localização: FM - Fac. Medicina    (BCSEP 004 2017 )(Acessar)

2
Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires
Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio energy gap calculation of 'GA'N nanowires

Pedro H G Oliveira Luiz G Ferreira; Lara K Teles; Marcelo Marques; Econtro de Física ( 2011 Foz do Iguaçu)

Resumo Foz do Iguaçu: SBF, 2011

Foz do Iguaçu SBF 2011

Acesso online

3
Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach
Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach

R R Pelá L G Ferreira; C Caetano; M Marques; J Furthmüller; L K Teles

Applied physics letters Woodbury v.98, n.15, p. 151907, abr.2011

Woodbury 2011

Acesso online

4
Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach
Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach

R R Pelá L G Ferreira; C Caetano; M Marques; J Furthmüller; L K Teles

Applied physics letters Woodbury v.98, n.15, p. 151907, abr.2011

Woodbury 2011

Acesso online

5
Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors
Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors

J P T Santos Guennadii Michailovich Gusev; M Marques; L. K Teles (Lara Kühl); Luiz Guimarães Ferreira

Physical Review B v. 81, n. 8, p. 115209/1-115209/8, 2010

Woodbury 2010

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6
Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors
Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors

J P T Santos Guennadii Michailovich Gusev; M Marques; L. K Teles (Lara Kühl); Luiz Guimarães Ferreira

Physical Review B v. 81, n. 8, p. 115209/1-115209/8, 2010

Woodbury 2010

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Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain structural and magnetic properties
Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain structural and magnetic properties
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain structural and magnetic properties

M Ribeiro Junior Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; M Marques; L G Ferreira; L. K Teles (Lara Kühl); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (29. 2006 São Lourenço)

São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 2006

São Paulo 2006

Acesso online

8
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems

M Marques L. K Teles (Lara Kühl); L G Ferreira; L M R Scolfaro

Physical Review B v. 73, n. 23, p. 235205, 2006

Woodbury 2006

Acesso online

9
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems

M Marques L. K Teles (Lara Kühl); L G Ferreira; L M R Scolfaro

Physical Review B v. 73, n. 23, p. 235205, 2006

Woodbury 2006

Acesso online

10
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN

M Marques Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; L. K Teles (Lara Kühl); Jurgen Furthmüller; F Bechstedt; L G Ferreira

Applied Physics Letters v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006

Woodbury 2006

Acesso online

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Deste Autor:

  1. Marques, M
  2. Teles, L
  3. Ferreira, L
  4. Scolfaro, L
  5. Bechstedt, F

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Matéria Condensada
  3. Estrutura Eletrônica
  4. Magnetismo
  5. Dispositivos Eletrônicos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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