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0 - —Al 3+ holes and Ti 3+ electron centers in quartz as indicators of temperature of regional metamorphism
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0 - —Al 3+ holes and Ti 3+ electron centers in quartz as indicators of temperature of regional metamorphism

Bershov, L.V. ; Krylova, M.D. ; Speranskiy, A.V.

International geology review, 1977-06, Vol.19 (6), p.741-744 [Periódico revisado por pares]

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2
0--Al3+ holes and Ti3+ electron centers in quartz as indicators of temperature of regional metamorphism
0--Al3+ holes and Ti3+ electron centers in quartz as indicators of temperature of regional metamorphism
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0--Al3+ holes and Ti3+ electron centers in quartz as indicators of temperature of regional metamorphism

Bershov, L.V. ; Krylova, M.D. ; Speranskiy, A.V.

International geology review, 1977-06, Vol.19 (6), p.741-744 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

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3
0.1-micron gate-length superconducting FET
0.1-micron gate-length superconducting FET
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0.1-micron gate-length superconducting FET

Nishino, T ; Hatano, M ; Hasegawa, H ; Murai, F ; Kure, T

IEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10, p.61-63 [Periódico revisado por pares]

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4
0.1- mu m gate-length superconducting FET
0.1- mu m gate-length superconducting FET
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1- mu m gate-length superconducting FET

Nishino, T. ; Hatano, M. ; Hasegawa, H. ; Murai, F. ; Kure, T. ; Hiraiwa, A. ; Yagi, K. ; Kawabe, U.

IEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10 (2), p.61-63 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
0.1 ps resolution delay circuit for waveform measurement in the stroboscopic scanning electron microscope
0.1 ps resolution delay circuit for waveform measurement in the stroboscopic scanning electron microscope
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0.1 ps resolution delay circuit for waveform measurement in the stroboscopic scanning electron microscope

Fujioka, H ; Kunizawa, H ; Ura, K

Journal of physics. E, Scientific instruments, 1986-12, Vol.19 (12), p.1025-1026

London: IOP Publishing

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6
0.6%C-1%Ni-1%Cr鋼におけるVB族元素およびSのオーステナイト粒界偏析
0.6%C-1%Ni-1%Cr鋼におけるVB族元素およびSのオーステナイト粒界偏析
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0.6%C-1%Ni-1%Cr鋼におけるVB族元素およびSのオーステナイト粒界偏析

須藤, 一 ; 竹澤, 博

日本金属学会誌, 1977, Vol.41(11), pp.1166-1172 [Periódico revisado por pares]

公益社団法人 日本金属学会

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7
0.79 eV (C line) defect in irradiated oxygen-rich silicon: excited state structure, internal strain and luminescence decay time
0.79 eV (C line) defect in irradiated oxygen-rich silicon: excited state structure, internal strain and luminescence decay time
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0.79 eV (C line) defect in irradiated oxygen-rich silicon: excited state structure, internal strain and luminescence decay time

Thonke, K ; Hangleiter, A ; Wagner, J ; Sauer, R

Journal of physics. C, Solid state physics, 1985-09, Vol.18 (26), p.L795-L801

London: IOP Publishing

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8
1.06 Micron Laser Damage of Thin Film Optical Coatings — a Round Robin Experiment Involving Various Pulse Lengths and Beam Diameters
1.06 Micron Laser Damage of Thin Film Optical Coatings — a Round Robin Experiment Involving Various Pulse Lengths and Beam Diameters
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1.06 Micron Laser Damage of Thin Film Optical Coatings — a Round Robin Experiment Involving Various Pulse Lengths and Beam Diameters

Guenther, KH ; Humpherys, TW ; Balmer, J ; Bettis, JR ; Casparis, E ; Ebert, J ; Eichner, M ; Guenther, AH ; Kiesel, E ; Kuehnel, R ; Milam, D ; Ryseck, W ; Seitel, SC ; Stewart, A ; Weber, H ; Weber, HP ; Wirtenson, G ; Wood, RM

Laser Induced Damage In Optical Materials: 1983, 1985, p.241-267 [Periódico revisado por pares]

100 Barr Harbor Drive, PO Box C700, West Conshohocken, PA 19428-2959: ASTM International

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9
1.06 μm Laser-Induced Breakdown of CO2-Laser-Polished Fused SiO2
1.06 μm Laser-Induced Breakdown of CO2-Laser-Polished Fused SiO2
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Capítulo de Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

1.06 μm Laser-Induced Breakdown of CO2-Laser-Polished Fused SiO2

Temple, PA ; Soileau, MJ

Laser Induced Damage In Optical Materials: 1980, 1981, p.180-189

100 Barr Harbor Drive, PO Box C700, West Conshohocken, PA 19428-2959: ASTM International

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10
1:1, 2:1, and Apparent association constants for a series of electron donor–acceptor complexes involving 1,3,5-trinitrobenzene and tetrafluoro-p-benzoquinone (fluoranil)
1:1, 2:1, and Apparent association constants for a series of electron donor–acceptor complexes involving 1,3,5-trinitrobenzene and tetrafluoro-p-benzoquinone (fluoranil)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1:1, 2:1, and Apparent association constants for a series of electron donor–acceptor complexes involving 1,3,5-trinitrobenzene and tetrafluoro-p-benzoquinone (fluoranil)

Bright, Alan A. S. ; Chudek, John A. ; Foster, Roy

J. Chem. Soc., Perkin Trans. 2, 1975 (12), p.1256-1259 [Periódico revisado por pares]

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