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0: ELECTRICITY
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Utility Week, 2020-02, p.5

Sutton: NLA Media

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2
0 + 1 > 1: How Adding Noninformative Sound Improves Performance on a Visual Task
0 + 1 > 1: How Adding Noninformative Sound Improves Performance on a Visual Task
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Kim, Robyn ; Peters, Megan A. K. ; Shams, Ladan

Psychological science, 2012-01, Vol.23 (1), p.6-12 [Periódico revisado por pares]

Los Angeles, CA: SAGE Publications

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3
0.025 micro m gate lengths
0.025 micro m gate lengths
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0.025 micro m gate lengths

Electronic engineering times, 2000-06, p.1

London: AspenCore

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4
0.05 μm (3σ) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess
0.05 μm (3σ) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess
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0.05 μm (3σ) overlay accuracy through-the-lens alignment in an excimer laser lithography system: MicroProcess

HIGASHIKI, T ; TOJO, T ; TAKAHASHI, Y ; TABATA, M ; NISHIZAKA, T ; KUWABARA, O ; UCHIDA, N ; YOSHINO, H ; SAITO, S

Japanese journal of applied physics, 1992, Vol.31 (12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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6
0.1 micro m driven at 1.5V
0.1 micro m driven at 1.5V
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0.1 micro m driven at 1.5V

Electronic engineering times, 1999-02, p.22

London: AspenCore

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7
0.1-mm-diameter optical fiber carries 35 W of laser-diode light
0.1-mm-diameter optical fiber carries 35 W of laser-diode light
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0.1-mm-diameter optical fiber carries 35 W of laser-diode light

Laser focus world, 2002-10, Vol.38 (10), p.11

PennWell Publishing Corp

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8
0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC
0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC
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0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC

Ohshima, T ; Moriguchi, H ; Hoshi, S ; Itoh, M ; Tsunotani, M ; Ichioka, T

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 2003, Vol.42 (6A), p.3320-3323 [Periódico revisado por pares]

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9
0.1 μm Fine-pattern fabrication using variable-shaped electron beam lithography
0.1 μm Fine-pattern fabrication using variable-shaped electron beam lithography
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0.1 μm Fine-pattern fabrication using variable-shaped electron beam lithography

HASHIMOTO, K ; YASUDA, M ; HIRAI, Y ; KAWAKITA, K ; NOMURA, N ; MURATA, K

Japanese journal of applied physics, 1989, Vol.28 (12), p.L2281-L2283 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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10
0.13 micro m for 70nm parts
0.13 micro m for 70nm parts
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0.13 micro m for 70nm parts

Electronic engineering times, 2001-04, p.2

London: AspenCore

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