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Refinado por: assunto: Molecular Beam Epitaxy remover
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Well-posedness for a molecular beam epitaxy model
Well-posedness for a molecular beam epitaxy model
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Well-posedness for a molecular beam epitaxy model

Emerald, Louis ; da Silva, Daniel Oliveira ; Tesfahun, Achenef

Journal of mathematical analysis and applications, 2024-12, Vol.540 (2), p.128617, Article 128617 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Inc

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2
Synthesis and Modulation of Low-Dimensional Transition Metal Chalcogenide Materials via Atomic Substitution
Synthesis and Modulation of Low-Dimensional Transition Metal Chalcogenide Materials via Atomic Substitution
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Synthesis and Modulation of Low-Dimensional Transition Metal Chalcogenide Materials via Atomic Substitution

Wang, Xuan ; Chen, Akang ; Wu, XinLei ; Zhang, Jiatao ; Dong, Jichen ; Zhang, Leining

Nano-micro letters, 2024-12, Vol.16 (1), p.163-163, Article 163 [Periódico revisado por pares]

Singapore: Springer Nature Singapore

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3
Local droplet etching of a vicinal InGaAs(111)A metamorphic layer
Local droplet etching of a vicinal InGaAs(111)A metamorphic layer
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Local droplet etching of a vicinal InGaAs(111)A metamorphic layer

Tuktamyshev, Artur ; Lambardi, Davide ; Vichi, Stefano ; Cesura, Federico ; Cecchi, Stefano ; Fedorov, Alexey ; Bietti, Sergio ; Sanguinetti, Stefano

Applied surface science, 2024-10, Vol.669, p.160450, Article 160450 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
Determination of the indirect bandgap of lattice-matched SiGeSn on Ge
Determination of the indirect bandgap of lattice-matched SiGeSn on Ge
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Determination of the indirect bandgap of lattice-matched SiGeSn on Ge

Schwarz, Daniel ; Kasper, Erich ; Bärwolf, Florian ; Costina, Ioan ; Oehme, Michael

Materials science in semiconductor processing, 2024-09, Vol.180, p.108565, Article 108565 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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5
Pit-formation in germanium homoepitaxial layers
Pit-formation in germanium homoepitaxial layers
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Pit-formation in germanium homoepitaxial layers

Oezkent, Maximilian ; Liu, Yujia ; Lu, Chen-Hsun ; Boeck, Torsten ; Gradwohl, Kevin-P.

Surface science, 2024-09, Vol.747, p.122505, Article 122505 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
InGaAs/AlGaAs MQWs grown by MBE: Optimizing GaAs insertion layer thickness to enhance interface quality and luminescent property
InGaAs/AlGaAs MQWs grown by MBE: Optimizing GaAs insertion layer thickness to enhance interface quality and luminescent property
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InGaAs/AlGaAs MQWs grown by MBE: Optimizing GaAs insertion layer thickness to enhance interface quality and luminescent property

Yang, Zhi ; Ma, Shufang ; Shi, Yu ; Yuan, Shuai ; Shang, Lin ; Hao, Xiaodong ; Zhang, Jing ; Qiu, Bocang ; Xu, Bingshe

Materials science in semiconductor processing, 2024-09, Vol.180, p.108584, Article 108584 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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7
High-performance infrared photodetector based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown at high temperature with a (2×4) surface reconstruction
High-performance infrared photodetector based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown at high temperature with a (2×4) surface reconstruction
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High-performance infrared photodetector based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown at high temperature with a (2×4) surface reconstruction

Alzeidan, A. ; Cantalice, T.F. ; Sautter, K.E. ; Vallejo, K.D. ; Simmonds, P.J. ; Quivy, A.A.

Sensors and actuators. A. Physical., 2024-08, Vol.374, p.115464, Article 115464 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
Catalyst-free MBE growth of PbSnTe nanowires with tunable aspect ratio
Catalyst-free MBE growth of PbSnTe nanowires with tunable aspect ratio
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Catalyst-free MBE growth of PbSnTe nanowires with tunable aspect ratio

Mientjes, Mathijs G C ; Guan, Xin ; Lueb, Pim J H ; Verheijen, Marcel A ; Bakkers, Erik P A M

Nanotechnology, 2024-08, Vol.35 (32), p.325602 [Periódico revisado por pares]

England

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9
Microstructural investigation of epitaxial aluminum films grown by molecular beam epitaxy
Microstructural investigation of epitaxial aluminum films grown by molecular beam epitaxy
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Microstructural investigation of epitaxial aluminum films grown by molecular beam epitaxy

Do, Thi-Hien ; Wu, Chu-Chun ; Wu, Yu-Hsun ; Lin, Sheng-Di

Vacuum, 2024-08, Vol.226, p.113339, Article 113339 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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10
Indepth doping assessment of thick doped GaAs layer by scanning spreading resistance microscopy
Indepth doping assessment of thick doped GaAs layer by scanning spreading resistance microscopy
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Indepth doping assessment of thick doped GaAs layer by scanning spreading resistance microscopy

Qiang, Lanpeng ; Chereau, Emmanuel ; Regreny, Philippe ; Avit, Geoffrey ; Trassoudaine, Agnès ; Gil, Evelyne ; André, Yamina ; Bluet, Jean-Marie ; Albertini, David ; Brémond, Georges

Journal of applied physics, 2024-07, Vol.136 (3) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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