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50 GHz RSFQ pseudo-random number generator design
50 GHz RSFQ pseudo-random number generator design
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50 GHz RSFQ pseudo-random number generator design

Zhou, X. ; Xu, S. ; Rott, P. ; Mancini, C.A. ; Feldman, M.J.

IEEE transactions on applied superconductivity, 2001-03, Vol.11 (1), p.617-620 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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A 1.2-V 8.3-nJ CMOS Humidity Sensor for RFID Applications
A 1.2-V 8.3-nJ CMOS Humidity Sensor for RFID Applications
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A 1.2-V 8.3-nJ CMOS Humidity Sensor for RFID Applications

Zhichao Tan ; Daamen, Roel ; Humbert, Aurelie ; Ponomarev, Youri V. ; Youngcheol Chae ; Pertijs, Michiel A. P.

IEEE journal of solid-state circuits, 2013-10, Vol.48 (10), p.2469-2477 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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A 1.5-V 0.7-2.5-GHz CMOS Quadrature Demodulator for Multiband Direct-Conversion Receivers
A 1.5-V 0.7-2.5-GHz CMOS Quadrature Demodulator for Multiband Direct-Conversion Receivers
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A 1.5-V 0.7-2.5-GHz CMOS Quadrature Demodulator for Multiband Direct-Conversion Receivers

Poobuapheun, N. ; Wei-Hung Chen ; Boos, Z. ; Niknejad, A.M.

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-08, Vol.42 (8), p.1669-1677 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
A 1.8 V 900 μW 4.5 GHz VCO and Prescaler in 0.18 μm CMOS Using Charge-Recycling Technique
A 1.8 V 900 μW 4.5 GHz VCO and Prescaler in 0.18 μm CMOS Using Charge-Recycling Technique
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A 1.8 V 900 μW 4.5 GHz VCO and Prescaler in 0.18 μm CMOS Using Charge-Recycling Technique

PARK, Dongmin ; CHO, Seonghwan

IEEE microwave and wireless components letters, 2009-02, Vol.19 (2), p.104-106

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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A 180mV FFT processor using subthreshold circuit techniques
A 180mV FFT processor using subthreshold circuit techniques
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 180mV FFT processor using subthreshold circuit techniques

Wang, A. ; Chandrakasan, A.

2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04CH37519), 2004, p.292-529 Vol.1

Piscataway, New Jersey: IEEE

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6
A 300-GHz Fundamental Oscillator in 65-nm CMOS Technology
A 300-GHz Fundamental Oscillator in 65-nm CMOS Technology
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A 300-GHz Fundamental Oscillator in 65-nm CMOS Technology

Razavi, Behzad

IEEE journal of solid-state circuits, 2011-04, Vol.46 (4), p.894-903 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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7
A Cascode Feedback Bias Technique for Linear CMOS Power Amplifiers in a Multistage Cascode Topology
A Cascode Feedback Bias Technique for Linear CMOS Power Amplifiers in a Multistage Cascode Topology
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A Cascode Feedback Bias Technique for Linear CMOS Power Amplifiers in a Multistage Cascode Topology

Hamhee Jeon ; Kun-Seok Lee ; Ockgoo Lee ; Kyu Hwan An ; Youngchang Yoon ; Hyungwook Kim ; Kobayashi, K. W. ; Chang-Ho Lee ; Kenney, J. S.

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2013-02, Vol.61 (2), p.890-901 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Advanced theory of semiconductor devices
Advanced theory of semiconductor devices
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Advanced theory of semiconductor devices

Karl Hess 1945-

Englewood Cliffs, N.J. Prentice-Hall c1988

Localização: FFCLRP - Fac. Fil. Ciên. Let. de R. Preto    (537 H586a )(Acessar)

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Advances in electronic materials papers presented at the 1984 ASM Materials Science Seminar, 15-16 September 1984, Detroit, Michigan
Advances in electronic materials papers presented at the 1984 ASM Materials Science Seminar, 15-16 September 1984, Detroit, Michigan
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Advances in electronic materials papers presented at the 1984 ASM Materials Science Seminar, 15-16 September 1984, Detroit, Michigan

ASM Materials Science Seminar (1984 Detroit, Mich.) B. W Wessels; Gilbert Y Chin; American Society for Metals Materials Science Division

Metals Park, Ohio ASM c1986

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (621.38 As53a )(Acessar)

10
Ag and zinc oxide-doped indium oxide ohmic contacts to p-type GaN for flip-chip LED applications
Ag and zinc oxide-doped indium oxide ohmic contacts to p-type GaN for flip-chip LED applications
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Ag and zinc oxide-doped indium oxide ohmic contacts to p-type GaN for flip-chip LED applications

Chen, Lung-Chien ; Ho, Yao-Ming

Journal of physics. D, Applied physics, 2007-11, Vol.40 (21), p.6514-6517 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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  1. Van der Ziel, A
  2. Pellatt, M
  3. Bindmann, W
  4. Wessels, B
  5. Hess, K

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  1. Electronics
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