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Temperature Degradation of 2.3, 3.2 and 4.1 THz Quantum Cascade Lasers
Temperature Degradation of 2.3, 3.2 and 4.1 THz Quantum Cascade Lasers
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Temperature Degradation of 2.3, 3.2 and 4.1 THz Quantum Cascade Lasers

Belov, D. A. ; Ikonnikov, A. V. ; Pushkarev, S. S. ; Galiev, R. R. ; Ponomarev, D. S. ; Khokhlov, D. R. ; Ushakov, D. V. ; Afonenko, A. A. ; Morozov, S. V. ; Gavrilenko, V. I. ; Khabibullin, R. A.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2023-09, Vol.57 (9), p.383-388 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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2
Quantum-Cascade Laser with Radiation Emission through a Textured Layer
Quantum-Cascade Laser with Radiation Emission through a Textured Layer
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Quantum-Cascade Laser with Radiation Emission through a Textured Layer

Babichev, A. V. ; Kolodeznyi, E. S. ; Gladyshev, A.G. ; Denisov, D. V. ; Voznyuk, G. V. ; Mitrofanov, M. I. ; Mikhailov, D. A. ; Chistyakov, D. V. ; Kuritsyn, D. I. ; Dudelev, V. V. ; Slipchenko, S. O. ; Lyutetskii, A. V. ; Evtikhiev, V. P. ; Karachinsky, L. Ya ; Novikov, I. I. ; Morozov, S. V. ; Sokolovskii, G. S. ; Pikhtin, N. A. ; Egorov, A. Yu

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2022, Vol.56 (1), p.1-4 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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3
Amplification of Terahertz Electromagnetic Waves in a Structure with Two Graphene Layers under a Direct Electric Current Flow: a Hydrodynamic Approximation
Amplification of Terahertz Electromagnetic Waves in a Structure with Two Graphene Layers under a Direct Electric Current Flow: a Hydrodynamic Approximation
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Amplification of Terahertz Electromagnetic Waves in a Structure with Two Graphene Layers under a Direct Electric Current Flow: a Hydrodynamic Approximation

Moiseenko, I. M. ; Popov, V. V. ; Fateev, D. V.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-12, Vol.55 (Suppl 1), p.S30-S34 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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Microstructural and Electronic Properties of Rapid Thermally Grown MoS.sub.2|Silicon Hetero-Junctions with Various Process Parameters
Microstructural and Electronic Properties of Rapid Thermally Grown MoS.sub.2|Silicon Hetero-Junctions with Various Process Parameters
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Microstructural and Electronic Properties of Rapid Thermally Grown MoS.sub.2|Silicon Hetero-Junctions with Various Process Parameters

Pradhan, D ; Kar, J. P

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-12, Vol.55 (12), p.948 [Periódico revisado por pares]

Springer

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Generation of Terahertz Radiation in InP:Fe Crystals Due to Second-Order Lattice Nonlinearity
Generation of Terahertz Radiation in InP:Fe Crystals Due to Second-Order Lattice Nonlinearity
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Generation of Terahertz Radiation in InP:Fe Crystals Due to Second-Order Lattice Nonlinearity

Rumyantsev, V. V. ; Maremyanin, K. V. ; Fokin, A. P. ; Dubinov, A. A. ; Razova, A. A. ; Mikhailov, N. N. ; Dvoretsky, S. A. ; Glyavin, M. Yu ; Gavrilenko, V. I. ; Morozov, S. V.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-10, Vol.55 (10), p.785-789 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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6
Formation and Optical Properties of Locally Strained Ge Microstructures Embedded into Cavities
Formation and Optical Properties of Locally Strained Ge Microstructures Embedded into Cavities
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Formation and Optical Properties of Locally Strained Ge Microstructures Embedded into Cavities

Yurasov, D. V. ; Baídakova, N. A. ; Verbus, V. A. ; Gusev, N. S. ; Morozova, E. E. ; Shengurov, D. V. ; Yablonskiy, A. N. ; Novikov, A. V.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-06, Vol.55 (6), p.531-536 [Periódico revisado por pares]

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7
Features of the Luminescence Spectra of ZnSe ⋅ O Crystals in Band Anticrossing Theory
Features of the Luminescence Spectra of ZnSe ⋅ O Crystals in Band Anticrossing Theory
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Features of the Luminescence Spectra of ZnSe ⋅ O Crystals in Band Anticrossing Theory

Oleshko, V. I. ; Vilchinskaya, S. S. ; Morozova, N. K.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2021-05, Vol.55 (5), p.511-517 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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8
Plasmon-Acoustic Transducers Based on Graphene–2D Boron Nitride Structures for the Terahertz-Frequency Range
Plasmon-Acoustic Transducers Based on Graphene–2D Boron Nitride Structures for the Terahertz-Frequency Range
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Plasmon-Acoustic Transducers Based on Graphene–2D Boron Nitride Structures for the Terahertz-Frequency Range

Brazhe, R. A. ; Dolgov, D. A.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-12, Vol.54 (13), p.1770-1774 [Periódico revisado por pares]

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Quantum-Cascade Ring Resonator Laser with 7–8 μm Wavelength and Surface Radiation Output
Quantum-Cascade Ring Resonator Laser with 7–8 μm Wavelength and Surface Radiation Output
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Quantum-Cascade Ring Resonator Laser with 7–8 μm Wavelength and Surface Radiation Output

Babichev, A. V. ; Kolodeznyi, E. S. ; Gladyshev, A. G. ; Denisov, D. V. ; Voznyuk, G. V. ; Kuritsyn, D. I. ; Mitrofanov, M. I. ; Slipchenko, S. O. ; Lyutetskii, A. V. ; Evtikhiev, V. P. ; Karachinsky, L. Ya ; Novikov, I. I. ; Pikhtin, N. A. ; Morozov, S. V. ; Egorov, A. Y.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-12, Vol.54 (14), p.1816-1819 [Periódico revisado por pares]

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Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO.sub.2 Based Memristors
Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO.sub.2 Based Memristors
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Resonant Activation of Resistive Switching in ZrO.sub.2 Based Memristors

Baranova, V. N ; Filatov, D. O ; Antonov, D. A ; Antonov, I. N ; Gorshkov, O. N

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2020-12, Vol.54 (14), p.1830 [Periódico revisado por pares]

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