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1-kV vertical Ga2O3 field-plated Schottky barrier diodes
1-kV vertical Ga2O3 field-plated Schottky barrier diodes
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1-kV vertical Ga2O3 field-plated Schottky barrier diodes

Konishi, Keita ; Goto, Ken ; Murakami, Hisashi ; Kumagai, Yoshinao ; Kuramata, Akito ; Yamakoshi, Shigenobu ; Higashiwaki, Masataka

Applied physics letters, 2017-03, Vol.110 (10) [Periódico revisado por pares]

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2
10 ns pulsed atmospheric air plasma for uniform treatment of polymeric surfaces
10 ns pulsed atmospheric air plasma for uniform treatment of polymeric surfaces
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10 ns pulsed atmospheric air plasma for uniform treatment of polymeric surfaces

Walsh, J. L. ; Kong, M. G.

Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (25) [Periódico revisado por pares]

United States

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3
100-FS PULSE GENERATION FROM AN ALL-SOLID-STATE ND-GLASS FIBER LASER-OSCILLATOR
100-FS PULSE GENERATION FROM AN ALL-SOLID-STATE ND-GLASS FIBER LASER-OSCILLATOR
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100-FS PULSE GENERATION FROM AN ALL-SOLID-STATE ND-GLASS FIBER LASER-OSCILLATOR

OBER, MH ; HABERL, F ; FERMANN, ME

Applied physics letters, 1992-05, Vol.60 (18), p.2177-2179 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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(100) Superlattices of CdTe-Cd0.76Mn0.24Te on (100) GaAs
(100) Superlattices of CdTe-Cd0.76Mn0.24Te on (100) GaAs
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(100) Superlattices of CdTe-Cd0.76Mn0.24Te on (100) GaAs

KOLODZIEJSKI, L. A ; GUNSHOR, R. L ; OTSUKA, N ; ZHANG, X.-C ; CHANG, S.-K ; NURMIKKO, A. V

Applied physics letters, 1985-10, Vol.47 (8), p.882-884 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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5
100 ⟩ n -type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor-embedded microcantilever sensor for observing the kinetics of chemical molecules interaction
100 ⟩ n -type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor-embedded microcantilever sensor for observing the kinetics of chemical molecules interaction
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100 ⟩ n -type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor-embedded microcantilever sensor for observing the kinetics of chemical molecules interaction

Wang, Jian ; Wu, Wengang ; Huang, Ying ; Hao, Yilong

Applied physics letters, 2009-09, Vol.95 (12), p.124101-124101-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
{110}-facets formation by hydrogen thermal etching on sidewalls of Si and strained-Si fin structures
{110}-facets formation by hydrogen thermal etching on sidewalls of Si and strained-Si fin structures
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{110}-facets formation by hydrogen thermal etching on sidewalls of Si and strained-Si fin structures

Tezuka, Tsutomu ; Hirashita, Norio ; Moriyama, Yoshihiko ; Sugiyama, Naoharu ; Usuda, Koji ; Toyoda, Eiji ; Murayama, Ken ; Takagi, Shin-ichi

Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (19) [Periódico revisado por pares]

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7
12-fs ultrashort optical pulse compression at a high repetition rate
12-fs ultrashort optical pulse compression at a high repetition rate
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12-fs ultrashort optical pulse compression at a high repetition rate

HALBOUT, J.-M ; GRISCHKOWSKY, D

Applied physics letters, 1984-12, Vol.45 (12), p.1281-1283 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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8
1.2 K Shubnikov–de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in δ- and slab-doped In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy
1.2 K Shubnikov–de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in δ- and slab-doped In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy
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1.2 K Shubnikov–de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in δ- and slab-doped In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy

McElhinney, M. ; Vögele, B. ; Holland, M. C. ; Stanley, C. R. ; Skuras, E. ; Long, A. R. ; Johnson, E. A.

Applied physics letters, 1996-02, Vol.68 (7), p.940-942 [Periódico revisado por pares]

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120 Hz pulse tube cryocooler for fast cooldown to 50 K
120 Hz pulse tube cryocooler for fast cooldown to 50 K
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120 Hz pulse tube cryocooler for fast cooldown to 50 K

Vanapalli, Srinivas ; Lewis, Michael ; Gan, Zhihua ; Radebaugh, Ray

Applied physics letters, 2007-02, Vol.90 (7), p.072504-072504-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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1.3 μm lasers with AlInAs-capped self-assembled quantum dots
1.3 μm lasers with AlInAs-capped self-assembled quantum dots
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1.3 μm lasers with AlInAs-capped self-assembled quantum dots

Sellers, I. R. ; Liu, H. Y. ; Hopkinson, M. ; Mowbray, D. J. ; Skolnick, M. S.

Applied physics letters, 2003-12, Vol.83 (23), p.4710-4712 [Periódico revisado por pares]

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  2. 1973Até1984  (316)
  3. 1985Até1996  (930)
  4. 1997Até2009  (2.211)
  5. Após 2009  (2.237)
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