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Effect of junction temperature on the large-signal properties of a 94 GHz silicon based double-drift region impact avalanche transit time device
Effect of junction temperature on the large-signal properties of a 94 GHz silicon based double-drift region impact avalanche transit time device
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Effect of junction temperature on the large-signal properties of a 94 GHz silicon based double-drift region impact avalanche transit time device

Acharyya, Aritra ; Banerjee, Suranjana ; Banerjee, J. P.

Journal of semiconductors, 2013-02, Vol.34 (2), p.19-30 [Periódico revisado por pares]

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Optical and electrical properties of electrochemically deposited polyaniline/CeO2 hybrid nanocomposite film
Optical and electrical properties of electrochemically deposited polyaniline/CeO2 hybrid nanocomposite film
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Optical and electrical properties of electrochemically deposited polyaniline/CeO2 hybrid nanocomposite film

Ansari, Anees A ; Khan, M. A. M ; Khan, M. Naziruddin ; Alrokayan, Salman A ; Alhoshan, M ; Alsalhi, M. S

Journal of semiconductors, 2011-04, Vol.32 (4), p.25-30 [Periódico revisado por pares]

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Nanoporous characteristics of sol-gel-derived ZnO thin film
Nanoporous characteristics of sol-gel-derived ZnO thin film
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Nanoporous characteristics of sol-gel-derived ZnO thin film

Ansari, Anees A. ; Khan, M.A.M. ; Alhoshan, M. ; Alrokayan, S.A. ; Alsalhi, M.S.

Journal of semiconductors, 2012-04, Vol.33 (4), p.7-12 [Periódico revisado por pares]

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Characterization of vanadyl phthalocyanine based surface-type capacitive humidity sensors
Characterization of vanadyl phthalocyanine based surface-type capacitive humidity sensors
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Characterization of vanadyl phthalocyanine based surface-type capacitive humidity sensors

Aziz, Fakhra ; Sayyad, M. H ; Karimov, Khassan S ; Saleem, M ; Ahmad, Zubair ; Khan, S. Mahmood

Journal of semiconductors, 2010-11, Vol.31 (11), p.9-14 [Periódico revisado por pares]

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Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films： The role of thickness
Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films： The role of thickness
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Physical properties of sprayed antimony doped tin oxide thin films： The role of thickness

Babar, A. R ; Shinde, S. S ; Moholkar, A. V ; Bhosale, C. H ; Kim, J. H ; Rajpure, K. Y

Journal of semiconductors, 2011-05, Vol.32 (5), p.10-17 [Periódico revisado por pares]

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Spectral decomposition formula and moments of symmetric square $L$-functions
Spectral decomposition formula and moments of symmetric square $L$-functions
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Spectral decomposition formula and moments of symmetric square $L$-functions

Balkanova, Olga Germanovna

Izvestiya. Mathematics, 2023, Vol.87 (4), p.641-682 [Periódico revisado por pares]

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Effect of substrate temperature on the stability of transparent conducting cobalt doped ZnO thin films
Effect of substrate temperature on the stability of transparent conducting cobalt doped ZnO thin films
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Effect of substrate temperature on the stability of transparent conducting cobalt doped ZnO thin films

Benramache, Said ; Benhaoua, Boubaker ; Chabane, Foued

Journal of semiconductors, 2012-09, Vol.33 (9), p.18-21 [Periódico revisado por pares]

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Influence of growth time on crystalline structure, conductivity and optical properties of ZnO thin films
Influence of growth time on crystalline structure, conductivity and optical properties of ZnO thin films
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Influence of growth time on crystalline structure, conductivity and optical properties of ZnO thin films

Benramache, Said ; Chabane, Foued ; Benhaoua, Boubaker ; Lemmadi, Fatima Z.

Journal of semiconductors, 2013-02, Vol.34 (2), p.11-14 [Periódico revisado por pares]

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Mathematical modeling of nanoscale MOS capacitance in the presence of depletion and energy quantization in a poly-silicon gate
Mathematical modeling of nanoscale MOS capacitance in the presence of depletion and energy quantization in a poly-silicon gate
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Mathematical modeling of nanoscale MOS capacitance in the presence of depletion and energy quantization in a poly-silicon gate

Chaudhry, Amit ; Roy, J. N

Journal of semiconductors, 2010-11, Vol.31 (11), p.5-8 [Periódico revisado por pares]

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10
SPICE compatible analytical electron mobility model for biaxial strained-Si- MOSFETs
SPICE compatible analytical electron mobility model for biaxial strained-Si- MOSFETs
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SPICE compatible analytical electron mobility model for biaxial strained-Si- MOSFETs

Chaudhry, Amit ; Roy, J. N ; Sangwan, S

Journal of semiconductors, 2011-05, Vol.32 (5), p.36-41 [Periódico revisado por pares]

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