Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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Novel low-resistance ohmic contact to n -type GaAs using Cu3GeAboelfotoh, M. O. ; Lin, C. L. ; Woodall, J. M.Applied physics letters, 1994-12, Vol.65 (25), p.3245-3247 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Microwave-power handling capability of HgBa2CaCu2O6+δ superconducting microstrip linesAga, Roberto S. ; Xie, Yi-Yuan ; Yan, Shao-Lin ; Wu, Judy Z. ; Han, Siyuan S.Applied physics letters, 2001-10, Vol.79 (15), p.2417-2419 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Microwave surface resistance of HgBa2CaCu2O6+δ thin filmsAga, Roberto S. ; Yan, Shao-lin ; Xie, Yiyuan ; Han, Siyuan ; Wu, Judy Z. ; Jia, Quan-Xi ; Kwon, ChuheeApplied physics letters, 2000-03, Vol.76 (12), p.1606-1608 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Refractive index of erbium doped GaN thin filmsAlajlouni, S. ; Sun, Z. Y. ; Li, J. ; Zavada, J. M. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.Applied physics letters, 2014-08, Vol.105 (8) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Domain wall-magnetic tunnel junction spin–orbit torque devices and circuits for in-memory computingAlamdar, Mahshid ; Leonard, Thomas ; Cui, Can ; Rimal, Bishweshwor P. ; Xue, Lin ; Akinola, Otitoaleke G. ; Patrick Xiao, T. ; Friedman, Joseph S. ; Bennett, Christopher H. ; Marinella, Matthew J. ; Incorvia, Jean Anne C.Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (11) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Toward achieving cost-effective hexagonal BN semi-bulk crystals and BN neutron detectors via halide vapor phase epitaxyAlemoush, Z. ; Hossain, N. K. ; Tingsuwatit, A. ; Almohammad, M. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.Applied physics letters, 2023-01, Vol.122 (1) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperatureAlian, A. ; Mols, Y. ; Bordallo, C. C. M. ; Verreck, D. ; Verhulst, A. ; Vandooren, A. ; Rooyackers, R. ; Agopian, P. G. D. ; Martino, J. A. ; Thean, A. ; Lin, D. ; Mocuta, D. ; Collaert, N.Applied physics letters, 2016-12, Vol.109 (24) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Carbon-related donor–acceptor pair transition in the infrared in h-BNAlmohammad, M. ; Alemoush, Z. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.Applied physics letters, 2024-03, Vol.124 (10) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Charge collection and trapping mechanisms in hexagonal boron nitride epilayersAlmohammad, M. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.Applied physics letters, 2021-11, Vol.119 (22) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Probing and controlling oxygen impurity diffusion in h-BN semi-bulk crystalsAlmohammad, M. ; Tingsuwatit, A. ; Alemoush, Z. ; Li, J. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X.Applied physics letters, 2023-12, Vol.123 (25) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |