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[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)
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[0 0 1] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(0 0 1)

Liao, X.Z ; Zou, J ; Cockayne, D.J.H ; Matsumura, S

Ultramicroscopy, 2004, Vol.98 (2), p.239-247 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier B.V

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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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3
[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium
[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium
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[0001] Compression response at room temperature of single-crystal magnesium

Syed, B. ; Geng, J. ; Mishra, R.K. ; Kumar, K.S.

Scripta materialia, 2012-10, Vol.67 (7-8), p.700-703 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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4
0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)
0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)
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0.04 degree-per-hour MEMS disk resonator gyroscope with high-quality factor (510 k) and long decaying time constant (74.9 s)

Li, Qingsong ; Xiao, Dingbang ; Zhou, Xin ; Xu, Yi ; Zhuo, Ming ; Hou, Zhanqiang ; He, Kaixuan ; Zhang, Yongmeng ; Wu, Xuezhong

Microsystems & nanoengineering, 2018-11, Vol.4 (1), p.32-11, Article 32 [Periódico revisado por pares]

England: Springer Nature B.V

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5
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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6
0.1-2000 eV electron impact cross sections for dichlorine monoxide
0.1-2000 eV electron impact cross sections for dichlorine monoxide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-2000 eV electron impact cross sections for dichlorine monoxide

Goswami, Biplab ; Gupta, Dhanoj ; Antony, Bobby

Journal of electron spectroscopy and related phenomena, 2014-03, Vol.193, p.86-91 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

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7
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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0.1-mm electrostatic microrelays switch at up to 100 GHz
0.1-mm electrostatic microrelays switch at up to 100 GHz
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magazinearticle 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-mm electrostatic microrelays switch at up to 100 GHz

Vollmer, Alfred

Electronic design, 1997-12, Vol.45 (27), p.34

Nashville: Endeavor Business Media

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0.1- mu m gate-length superconducting FET
0.1- mu m gate-length superconducting FET
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1- mu m gate-length superconducting FET

Nishino, T. ; Hatano, M. ; Hasegawa, H. ; Murai, F. ; Kure, T. ; Hiraiwa, A. ; Yagi, K. ; Kawabe, U.

IEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10 (2), p.61-63 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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  1. Stourdzé, Y

Neste Assunto:

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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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