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1/f Noise in GaN HEMTs grown under Ga-rich, N-rich, and NH3-rich conditions
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1/f Noise in GaN HEMTs grown under Ga-rich, N-rich, and NH3-rich conditions

ROY, Tania ; PUZYREV, Yevgeniy S ; EN XIA ZHANG ; DASGUPTA, Sandeepan ; FRANCIS, Sarah A ; FLEETWOOD, Daniel M ; SCHRIMPF, Ronald D ; MISHRA, Umesh K ; SPECK, James S ; PANTELIDES, Sokrates T

Microelectronics and reliability, 2011-02, Vol.51 (2), p.212-216 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier

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2
1-Norm character of phase shifting interferograms and its application in phase shift extraction
1-Norm character of phase shifting interferograms and its application in phase shift extraction
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1-Norm character of phase shifting interferograms and its application in phase shift extraction

Deng, Jian ; Zhong, Liyun ; Wang, Hanlin ; Wang, Hankun ; Zhang, Wangpin ; Zhang, Fengjie ; Ma, Shuzhen ; Lu, Xiaoxu

Optics communications, 2014-04, Vol.316, p.156-160 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
10-100 TeV cosmic ray anisotropy measured at the Baksan EAS “Carpet” array
10-100 TeV cosmic ray anisotropy measured at the Baksan EAS “Carpet” array
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10-100 TeV cosmic ray anisotropy measured at the Baksan EAS “Carpet” array

Alekseenko, V.V. ; Cherniaev, A.B. ; Djappuev, D.D. ; Kudjaev, A.U. ; Michailova, O.I. ; Stenkin, Yu.V. ; Stepanov, V.I. ; Volchenko, V.I.

Nuclear physics. Section B, Proceedings supplement, 2009-12, Vol.196, p.179-182

Elsevier B.V

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4
10-kV diffractive imaging using newly developed electron diffraction microscope
10-kV diffractive imaging using newly developed electron diffraction microscope
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10-kV diffractive imaging using newly developed electron diffraction microscope

Kamimura, Osamu ; Dobashi, Takashi ; Kawahara, Kota ; Abe, Takashi ; Gohara, Kazutoshi

Ultramicroscopy, 2010, Vol.110 (2), p.130-133 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier B.V

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5
100-kV advanced nanoelectron-beam exposure system for 8,12 ″ wafers and x-ray masks
100-kV advanced nanoelectron-beam exposure system for 8,12 ″ wafers and x-ray masks
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100-kV advanced nanoelectron-beam exposure system for 8,12 ″ wafers and x-ray masks

Ochiai, Yukinori ; Ogura, Takashi ; Mogami, Tohru

Microelectronic engineering, 1999-05, Vol.46 (1), p.187-190 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
1024 × 1024 Format pixel co-located simultaneously readable dual-band QWIP focal plane
1024 × 1024 Format pixel co-located simultaneously readable dual-band QWIP focal plane
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1024 × 1024 Format pixel co-located simultaneously readable dual-band QWIP focal plane

Gunapala, S.D. ; Bandara, S.V. ; Liu, J.K. ; Mumolo, J.M. ; Ting, D.Z. ; Hill, C.J. ; Nguyen, J. ; Simolon, B. ; Woolaway, J. ; Wang, S.C. ; Li, W. ; LeVan, P.D. ; Tidrow, M.Z.

Infrared physics & technology, 2009-11, Vol.52 (6), p.395-398 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
10nm lines and spaces written in HSQ, using electron beam lithography
10nm lines and spaces written in HSQ, using electron beam lithography
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10nm lines and spaces written in HSQ, using electron beam lithography

Grigorescu, A.E. ; van der Krogt, M.C. ; Hagen, C.W. ; Kruit, P.

Microelectronic engineering, 2007-05, Vol.84 (5-8), p.822-824 [Periódico revisado por pares]

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8
1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs
1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs
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1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs

El Kazzi, M. ; Webb, D.J. ; Czornomaz, L. ; Rossel, C. ; Gerl, C. ; Richter, M. ; Sousa, M. ; Caimi, D. ; Siegwart, H. ; Fompeyrine, J. ; Marchiori, C.

Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1066-1069 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
1.35 μm photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)1/(GaAs)1 monolayer deposition
1.35 μm photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)1/(GaAs)1 monolayer deposition
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1.35 μm photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)1/(GaAs)1 monolayer deposition

WANG, X. D ; NIU, Z. C ; FENG, S. L ; MIAO, Z. H

Journal of crystal growth, 2000-11, Vol.220 (1-2), p.16-22 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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10
1.5 Watt passively Q-switched diode-pumped cw Nd:YAG laser
1.5 Watt passively Q-switched diode-pumped cw Nd:YAG laser
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1.5 Watt passively Q-switched diode-pumped cw Nd:YAG laser

Agnesi, A ; Dell'Acqua, S ; Reali, G.C

Optics communications, 1997, Vol.133 (1), p.211-215 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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