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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Silicon remover
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1
NUCLEAR PARTICLE TRACKS IN SILICON
NUCLEAR PARTICLE TRACKS IN SILICON
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NUCLEAR PARTICLE TRACKS IN SILICON

Miller, D. P. ; Taylor, H. L.

Appl. Phys. Letters, 1963-01, Vol.2 (2), p.33-34 [Periódico revisado por pares]

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2
ELECTRON MICROSCOPE OBSERVATION OF LATTICE DISORDER IN ION-IMPLANTED SILICON
ELECTRON MICROSCOPE OBSERVATION OF LATTICE DISORDER IN ION-IMPLANTED SILICON
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ELECTRON MICROSCOPE OBSERVATION OF LATTICE DISORDER IN ION-IMPLANTED SILICON

Bertolotti, M. ; Sette, D. ; Stagni, L. ; Vitali, G.

Appl. Phys. Lett. 18: 257-9(15 Mar 1971), 1971-01, Vol.18 (6), p.257-259 [Periódico revisado por pares]

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3
On etching very narrow grooves in silicon
On etching very narrow grooves in silicon
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On etching very narrow grooves in silicon

Kendall, Don L.

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1975-02, Vol.26 (4), p.195-198 [Periódico revisado por pares]

United States

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4
Textured silicon: A selective absorber for solar thermal conversion
Textured silicon: A selective absorber for solar thermal conversion
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Textured silicon: A selective absorber for solar thermal conversion

Gittleman, J I ; Sichel, E K ; Lehmann, H W ; Widmer, R

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1979-11, Vol.35 (10), p.742-744 [Periódico revisado por pares]

United States

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5
Distributed-feedback dye laser integrated with a channel waveguide formed on silicon
Distributed-feedback dye laser integrated with a channel waveguide formed on silicon
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Distributed-feedback dye laser integrated with a channel waveguide formed on silicon

Sriram, S. ; Jackson, Howard E. ; Boyd, J. T.

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1980-05, Vol.36 (9), p.721-723 [Periódico revisado por pares]

United States

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6
Textured thin-film Si solar selective absorbers using reactive ion etching
Textured thin-film Si solar selective absorbers using reactive ion etching
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Textured thin-film Si solar selective absorbers using reactive ion etching

Craighead, H G ; Howard, R E ; Tennant, D M

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1980-10, Vol.37 (7), p.653-655 [Periódico revisado por pares]

United States

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7
Electrical characterization of solar cells by surface photovoltage
Electrical characterization of solar cells by surface photovoltage
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Electrical characterization of solar cells by surface photovoltage

Goldstein, B ; Redfield, D ; Szostak, D J ; Carr, L A

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1981-08, Vol.39 (3), p.258-260 [Periódico revisado por pares]

United States

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8
Growth and patterning of GaAs/Ge single crystal layers on Si substrates by molecular beam epitaxy
Growth and patterning of GaAs/Ge single crystal layers on Si substrates by molecular beam epitaxy
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Growth and patterning of GaAs/Ge single crystal layers on Si substrates by molecular beam epitaxy

Sheldon, P. ; Jones, K. M. ; Hayes, R. E. ; Tsaur, B-Y. ; Fan, John C. C.

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1984-08, Vol.45 (3), p.274-276 [Periódico revisado por pares]

United States

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9
Measurement of diffusion length gradients in hydrogen passivated silicon ribbon
Measurement of diffusion length gradients in hydrogen passivated silicon ribbon
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Measurement of diffusion length gradients in hydrogen passivated silicon ribbon

MICHEELS, R. H ; VAYMAN, Z ; HANOKA, J. I

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1985-02, Vol.46 (4), p.414-416 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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10
Doping level selective photochemical dry etching of GaAs
Doping level selective photochemical dry etching of GaAs
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Doping level selective photochemical dry etching of GaAs

ASHBY, C. I. H

Appl. Phys. Lett.; (United States), 1985-04, Vol.46 (8), p.752-754 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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