Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Artigo
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NUCLEAR PARTICLE TRACKS IN SILICONMiller, D. P. ; Taylor, H. L.Appl. Phys. Letters, 1963-01, Vol.2 (2), p.33-34 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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ELECTRON MICROSCOPE OBSERVATION OF LATTICE DISORDER IN ION-IMPLANTED SILICONBertolotti, M. ; Sette, D. ; Stagni, L. ; Vitali, G.Appl. Phys. Lett. 18: 257-9(15 Mar 1971), 1971-01, Vol.18 (6), p.257-259 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
3 |
Material Type: Artigo
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On etching very narrow grooves in siliconKendall, Don L.Appl. Phys. Lett.; (United States), 1975-02, Vol.26 (4), p.195-198 [Periódico revisado por pares]United StatesTexto completo disponível |
4 |
Material Type: Artigo
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Textured silicon: A selective absorber for solar thermal conversionGittleman, J I ; Sichel, E K ; Lehmann, H W ; Widmer, RAppl. Phys. Lett.; (United States), 1979-11, Vol.35 (10), p.742-744 [Periódico revisado por pares]United StatesTexto completo disponível |
5 |
Material Type: Artigo
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Distributed-feedback dye laser integrated with a channel waveguide formed on siliconSriram, S. ; Jackson, Howard E. ; Boyd, J. T.Appl. Phys. Lett.; (United States), 1980-05, Vol.36 (9), p.721-723 [Periódico revisado por pares]United StatesTexto completo disponível |
6 |
Material Type: Artigo
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Textured thin-film Si solar selective absorbers using reactive ion etchingCraighead, H G ; Howard, R E ; Tennant, D MAppl. Phys. Lett.; (United States), 1980-10, Vol.37 (7), p.653-655 [Periódico revisado por pares]United StatesTexto completo disponível |
7 |
Material Type: Artigo
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Electrical characterization of solar cells by surface photovoltageGoldstein, B ; Redfield, D ; Szostak, D J ; Carr, L AAppl. Phys. Lett.; (United States), 1981-08, Vol.39 (3), p.258-260 [Periódico revisado por pares]United StatesTexto completo disponível |
8 |
Material Type: Artigo
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Growth and patterning of GaAs/Ge single crystal layers on Si substrates by molecular beam epitaxySheldon, P. ; Jones, K. M. ; Hayes, R. E. ; Tsaur, B-Y. ; Fan, John C. C.Appl. Phys. Lett.; (United States), 1984-08, Vol.45 (3), p.274-276 [Periódico revisado por pares]United StatesTexto completo disponível |
9 |
Material Type: Artigo
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Measurement of diffusion length gradients in hydrogen passivated silicon ribbonMICHEELS, R. H ; VAYMAN, Z ; HANOKA, J. IAppl. Phys. Lett.; (United States), 1985-02, Vol.46 (4), p.414-416 [Periódico revisado por pares]Melville, NY: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
10 |
Material Type: Artigo
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Doping level selective photochemical dry etching of GaAsASHBY, C. I. HAppl. Phys. Lett.; (United States), 1985-04, Vol.46 (8), p.752-754 [Periódico revisado por pares]Melville, NY: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |