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0-D thermo-hydraulic approach for predicting pressure and temperature along HELIOS SHe closed loop under pulsed loads
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0-D thermo-hydraulic approach for predicting pressure and temperature along HELIOS SHe closed loop under pulsed loads

Rousset, B. ; Hoa, C. ; Lagier, B. ; Vallcorba, R.

Cryogenics (Guildford), 2013-01, Vol.53, p.7-16 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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2
(001) Facet-exposed anatase-phase TiO2 nanotube hybrid reduced graphene oxide composite: Synthesis, characterization and application in photocatalytic degradation
(001) Facet-exposed anatase-phase TiO2 nanotube hybrid reduced graphene oxide composite: Synthesis, characterization and application in photocatalytic degradation
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(001) Facet-exposed anatase-phase TiO2 nanotube hybrid reduced graphene oxide composite: Synthesis, characterization and application in photocatalytic degradation

Zhou, Xun ; Shi, Tiejun ; Wu, Jing ; Zhou, Haiou

Applied surface science, 2013-12, Vol.287, p.359-368 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process
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0.3–3 GHz magneto-dielectric properties of nanostructured NiZnCo ferrite from hydrothermal process

Shen, Xiang ; Wang, Yanxin ; Yang, Xiang ; Lu, Liqiang ; Huang, Liang

Journal of materials science. Materials in electronics, 2010-06, Vol.21 (6), p.630-634 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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4
1-100 kHz Magnetic Shielding Efficiency by Metallic Sheets: Modeling and Experiment by a Laboratory Test Bed
1-100 kHz Magnetic Shielding Efficiency by Metallic Sheets: Modeling and Experiment by a Laboratory Test Bed
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1-100 kHz Magnetic Shielding Efficiency by Metallic Sheets: Modeling and Experiment by a Laboratory Test Bed

Bottauscio, O. ; Chiampi, M. ; Roccato, P.E. ; Zucca, M.

IEEE transactions on magnetics, 2006-10, Vol.42 (10), p.3533-3535

New York, NY: IEEE

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5
1-D array implementation of the resistively-coupled single-electron transistor
1-D array implementation of the resistively-coupled single-electron transistor
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1-D array implementation of the resistively-coupled single-electron transistor

Delsing, P. ; Claeson, T. ; Kazacha, G.S. ; Kuzmin, L.S. ; Likharev, K.K.

IEEE Transactions on Magnetics (Institute of Electrical and Electronics Engineers); (United States), 1991-03, Vol.27 (2), p.2581-2584

New York, NY: IEEE

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6
1-D nanostructures grown on the Si(5 5 12) surface
1-D nanostructures grown on the Si(5 5 12) surface
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1-D nanostructures grown on the Si(5 5 12) surface

Baski, A.A. ; Saoud, K.M. ; Jones, K.M.

Applied surface science, 2001-10, Vol.182 (3), p.216-222 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
1.0-mA-threshold uncoated lasers by impurity-induced disordering
1.0-mA-threshold uncoated lasers by impurity-induced disordering
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1.0-mA-threshold uncoated lasers by impurity-induced disordering

Zou, W.X. ; Bowen, T. ; Law, K.-K. ; Young, D.B. ; Merz, J.L.

IEEE photonics technology letters, 1993-06, Vol.5 (6), p.591-594

New York, NY: IEEE

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8
1.02-μm vertical-cavity surface-emitting lasers with strain-compensated InGaAs quantum wells
1.02-μm vertical-cavity surface-emitting lasers with strain-compensated InGaAs quantum wells
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1.02-μm vertical-cavity surface-emitting lasers with strain-compensated InGaAs quantum wells

XIANG, N ; LEINONEN, P ; RAJALA, L ; LYYTIKÄINEN, J ; PESSA, M

Journal of materials science. Materials in electronics, 2004-02, Vol.15 (2), p.115-117 [Periódico revisado por pares]

Norwell, MA: Springer

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9
1,10-Phenanthroline as an accelerator for Ag nanoparticle-catalysed electroless copper deposition
1,10-Phenanthroline as an accelerator for Ag nanoparticle-catalysed electroless copper deposition
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1,10-Phenanthroline as an accelerator for Ag nanoparticle-catalysed electroless copper deposition

Liu, Chia-Ru ; Chou, Nan-Kuang ; Li, Cheng-Hsing ; Chen, Ho-Rei ; Lee, Chien-Liang

Applied surface science, 2014-10, Vol.317, p.181-187 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs
1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs
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1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs

El Kazzi, M. ; Webb, D.J. ; Czornomaz, L. ; Rossel, C. ; Gerl, C. ; Richter, M. ; Sousa, M. ; Caimi, D. ; Siegwart, H. ; Fompeyrine, J. ; Marchiori, C.

Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1066-1069 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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