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Refinado por: Nome da Publicação: Journal Of Applied Physics remover assunto: Thin Films remover
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1
Color in "tungsten trioxide" thin films
Color in "tungsten trioxide" thin films
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Color in "tungsten trioxide" thin films

Gerard, P. ; Deneuville, A. ; Hollinger, G. ; Duc, Tran Minh

Journal of applied physics, 1977-10, Vol.48 (10), p.4252-4255 [Periódico revisado por pares]

United States

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2
Intrinsic stress in thin films deposited on anisotropic substrates and its influence on the natural frequencies of piezoelectric resonators
Intrinsic stress in thin films deposited on anisotropic substrates and its influence on the natural frequencies of piezoelectric resonators
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Intrinsic stress in thin films deposited on anisotropic substrates and its influence on the natural frequencies of piezoelectric resonators

Tiersten, H. F. ; Sinha, B. K. ; Meeker, T. R.

Journal of applied physics, 1981-01, Vol.52 (9), p.5614-5624 [Periódico revisado por pares]

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3
The measurement of elastic stresses and energy in cubic single-crystal films by x-ray diffraction
The measurement of elastic stresses and energy in cubic single-crystal films by x-ray diffraction
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The measurement of elastic stresses and energy in cubic single-crystal films by x-ray diffraction

Rao, Satish I. ; Houska, C. R.

Journal of applied physics, 1981-01, Vol.52 (10), p.6322-6327 [Periódico revisado por pares]

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4
Simple estimate of electromigration failure in metallic thin films
Simple estimate of electromigration failure in metallic thin films
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Simple estimate of electromigration failure in metallic thin films

Mogro-Campero, A

Journal of applied physics, 1982-02, Vol.53 (2), p.1224-1225 [Periódico revisado por pares]

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5
A flux analysis of the current–voltage characteristics of thin film frontwall illuminated and backwall illuminated liquid junction and metal junction solar cells
A flux analysis of the current–voltage characteristics of thin film frontwall illuminated and backwall illuminated liquid junction and metal junction solar cells
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A flux analysis of the current–voltage characteristics of thin film frontwall illuminated and backwall illuminated liquid junction and metal junction solar cells

Hinckley, S. ; McCann, J. F. ; Haneman, D.

Journal of applied physics, 1983-04, Vol.54 (4), p.1955-1965 [Periódico revisado por pares]

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6
Properties of tin doped indium oxide thin films prepared by magnetron sputtering
Properties of tin doped indium oxide thin films prepared by magnetron sputtering
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Properties of tin doped indium oxide thin films prepared by magnetron sputtering

RAY, S ; RATNABALI BANERJEE ; BASU, N ; BATABYAL, A. K ; BARUA, A. K

Journal of applied physics, 1983-06, Vol.54 (6), p.3497-3501 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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7
Effects of keV electron irradiation on the avalanche-electron generation rates of three donors on oxidized silicon
Effects of keV electron irradiation on the avalanche-electron generation rates of three donors on oxidized silicon
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Effects of keV electron irradiation on the avalanche-electron generation rates of three donors on oxidized silicon

Sah, Chih-Tang ; Sun, Jack Yuan-Chen ; Tzou, Joseph Jeng-Tao

Journal of applied physics, 1983-08, Vol.54 (8), p.4378-4381 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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8
Thermal stability of electrically active dopants in laser annealed silicon films
Thermal stability of electrically active dopants in laser annealed silicon films
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Thermal stability of electrically active dopants in laser annealed silicon films

WILSON, S. R ; PAULSON, W. M ; GREGORY, R. B ; TAM, G ; WHITE, C. W ; APPLETON, B. R ; RAI, A. K ; PRONKO, P. P

Journal of applied physics, 1983-09, Vol.54 (9), p.5004-5013 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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9
Modeling of thin film solar cells: uniform field approximation
Modeling of thin film solar cells: uniform field approximation
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Modeling of thin film solar cells: uniform field approximation

CRANDALL, R. S

Journal of applied physics, 1983-12, Vol.54 (12), p.7176-7186 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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10
Electron tunneling in heavily In-doped polycrystalline CdS films
Electron tunneling in heavily In-doped polycrystalline CdS films
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Electron tunneling in heavily In-doped polycrystalline CdS films

GARCIA-CUENCA, M. V ; MORENZA, J. L ; ESTEVE, J

Journal of applied physics, 1984-01, Vol.56 (6), p.1738-1743 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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