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(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers
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(0 0 1) Textured CoPt/Ag films and nanocomposites: the effect of Ag underlayers

Manios, E. ; Karanasos, V. ; Niarchos, D. ; Panagiotopoulos, I.

Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-05, Vol.272, p.2169-2170 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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3
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester

Kim, Jong-Hyun ; Woo, Jong-Un ; Yee, Yeon-Jeong ; Kim, In-Su ; Shin, Ho-Sung ; Hwang, Hyun-Gyu ; Kweon, Sang Hyo ; Choi, Hyun-Ju ; Nahm, Sahn

Applied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147871, Article 147871 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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5
0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs
0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs
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0.1-μm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs

Zaknoune, M ; Cordier, Y ; Bollaert, S ; Ferre, D ; Théron, D ; Crosnier, Y

Solid-state electronics, 2000-09, Vol.44 (9), p.1685-1688 [Periódico revisado por pares]

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6
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
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0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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7
0.15 μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length
0.15 μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length
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0.15 μm gate-length AlGaN/GaN HEMTs with varying gate recess length

Kuliev, A ; Kumar, V ; Schwindt, R ; Selvanathan, D ; Dabiran, A.M ; Chow, P ; Adesida, I

Solid-state electronics, 2003, Vol.47 (1), p.117-122 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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8
A 0.02% THD and 80 dB PSRR filterless class D amplifier with direct lithium battery hookup in mobile application
A 0.02% THD and 80 dB PSRR filterless class D amplifier with direct lithium battery hookup in mobile application
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A 0.02% THD and 80 dB PSRR filterless class D amplifier with direct lithium battery hookup in mobile application

Zheng, Hao ; Zhu, Zhangming ; Ma, Rui

Journal of semiconductors, 2017-07, Vol.38 (7), p.60-67 [Periódico revisado por pares]

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9
A 0.1-1.5 GHz, low jitter, area efficient PLL in 55-nm CMOS process
A 0.1-1.5 GHz, low jitter, area efficient PLL in 55-nm CMOS process
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A 0.1-1.5 GHz, low jitter, area efficient PLL in 55-nm CMOS process

钟波 朱樟明

Journal of semiconductors, 2016-05, Vol.37 (5), p.90-96 [Periódico revisado por pares]

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10
A 0.1-1.5 GHz multi-octave quadruple-stacked CMOS power amplifier
A 0.1-1.5 GHz multi-octave quadruple-stacked CMOS power amplifier
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A 0.1-1.5 GHz multi-octave quadruple-stacked CMOS power amplifier

Wei, Shizhe ; Wu, Haifeng ; Lin, Qian ; Zhang, Mingzhe

Journal of semiconductors, 2020-06, Vol.41 (6), p.62401-48 [Periódico revisado por pares]

Chinese Institute of Electronics

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