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1/f noise in Si and Si0.7Ge0.3 pMOSFETs
1/f noise in Si and Si0.7Ge0.3 pMOSFETs
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1/f noise in Si and Si0.7Ge0.3 pMOSFETs

von Haartman, M ; Lindgren, A.C ; Hellstrom, P.E ; Malm, B.G ; Zhang, Shi-Li ; Ostling, M

IEEE transactions on electron devices, 2003-12, Vol.50 (12), p.2513 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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2
1/f-noise in vertical InAs nanowire transistors
1/f-noise in vertical InAs nanowire transistors
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

1/f-noise in vertical InAs nanowire transistors

Persson, Karl-Magnus ; Berg, Martin ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2013, p.1-2

IEEE

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3
1/f Noise Sources in Dual-Gated Indium Arsenide Nanowire Transistors
1/f Noise Sources in Dual-Gated Indium Arsenide Nanowire Transistors
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1/f Noise Sources in Dual-Gated Indium Arsenide Nanowire Transistors

Delker, C. J. ; Kim, S. ; Borg, M. ; Wernersson, L. ; Janes, D. B.

IEEE transactions on electron devices, 2012-07, Vol.59 (7), p.1980-1987 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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4
1200-V 5.2-m Omega center dot cm(2) 4H-SiC BJTs with a high common-emitter current gain
1200-V 5.2-m Omega center dot cm(2) 4H-SiC BJTs with a high common-emitter current gain
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1200-V 5.2-m Omega center dot cm(2) 4H-SiC BJTs with a high common-emitter current gain

Lee, Hyung-Seok ; Domeij, Martin ; Zetterling, Carl-Mikael ; Östling, Mikael ; Allerstam, Fredrik ; Sveinbjörnsson, Einar Ö.

IEEE electron device letters, 2007-11, Vol.28 (11), p.1007 [Periódico revisado por pares]

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5
A 0.7 to 3 GHz wireless receiver front end in 65-nm CMOS with an LNA linearized by positive feedback
A 0.7 to 3 GHz wireless receiver front end in 65-nm CMOS with an LNA linearized by positive feedback
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.7 to 3 GHz wireless receiver front end in 65-nm CMOS with an LNA linearized by positive feedback

Nejdel, Anders ; Törmänen, Markus ; Sjöland, Henrik

Analog integrated circuits and signal processing, 2013, Vol.74 (1), p.49-57 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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6
A 1 GHz CMOS current-folded direct digital RF quadrature modulator
A 1 GHz CMOS current-folded direct digital RF quadrature modulator
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 1 GHz CMOS current-folded direct digital RF quadrature modulator

Yijun, Zhou ; Yuan, Jiren

2005 IEEE Radio Frequency integrated Circuits (RFIC) Symposium - Digest of Papers, 2005, p.25-28

IEEE

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7
A 10-bit 500-MS/s 124-mW Subranging Folding ADC in 0.13 μm CMOS
A 10-bit 500-MS/s 124-mW Subranging Folding ADC in 0.13 μm CMOS
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 10-bit 500-MS/s 124-mW Subranging Folding ADC in 0.13 μm CMOS

Chen, Cheng ; Yuan, Jiren

2007 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2007, p.1709-1712

IEEE

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8
A 10-bit pipeline ADC using 40-dB opamps and calibrated customized references
A 10-bit pipeline ADC using 40-dB opamps and calibrated customized references
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 10-bit pipeline ADC using 40-dB opamps and calibrated customized references

Cheng Chen ; Jiren Yuan

2007 7th International Conference on ASIC, 2007, p.249-252

IEEE

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9
A 10-Bit Split-Capacitor SAR ADC with DAC Imbalance Estimation and Calibration
A 10-Bit Split-Capacitor SAR ADC with DAC Imbalance Estimation and Calibration
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A 10-Bit Split-Capacitor SAR ADC with DAC Imbalance Estimation and Calibration

Tan, Siyu ; Mastantuono, Daniele ; Strandberg, Roland ; Sundstrom, Lars ; Andreani, Pietro ; Palm, Mattias

2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2020, p.1-5

IEEE

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10
A 10-bit wide-band CMOS direct digital RF amplitude modulator
A 10-bit wide-band CMOS direct digital RF amplitude modulator
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 10-bit wide-band CMOS direct digital RF amplitude modulator

Zhou, Yijun ; Yuan, Jiren

IEEE journal of solid-state circuits, 2003-07, Vol.38 (7), p.1182-1188 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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