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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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Citações Citado por
2
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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3
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
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0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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4
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.10 μm TiSi2 technology utilizing nitrogen diffusion controlled RTA

MATSUBARA, Y ; SAKAI, T ; ISHIGAMI, T ; ANDO, K ; HORIUCHI, T

Thin solid films, 1995-12, Vol.270 (1-2), p.537-543 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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5
0.13-μm CMOS phase shifters for X-, Ku-, and K-band phased arrays
0.13-μm CMOS phase shifters for X-, Ku-, and K-band phased arrays
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0.13-μm CMOS phase shifters for X-, Ku-, and K-band phased arrays

KOH, Kwang-Jin ; REBEIZ, Gabriel M

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-11, Vol.42 (11), p.2535-2546 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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6
0.15 μm GaAs MESFETs applied to ultrahigh-speed static frequency dividers
0.15 μm GaAs MESFETs applied to ultrahigh-speed static frequency dividers
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0.15 μm GaAs MESFETs applied to ultrahigh-speed static frequency dividers

ENOKI, T ; SUGITANI, S ; YAMANE, Y

Electronics letters, 1989, Vol.25 (8), p.512-513 [Periódico revisado por pares]

London: Institution of Electrical Engineers

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7
A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.01―8-GHz (12.5 Gb/s) 4 x 4 CMOS Switch Matrix

SHIN, Donghyup ; KANG, Dong-Woo ; REBEIZ, Gabriel M

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2012-02, Vol.60 (2), p.381-386 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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8
A 0.1-1 GHz CMOS Variable Gain Amplifier Using Wideband Negative Capacitance
A 0.1-1 GHz CMOS Variable Gain Amplifier Using Wideband Negative Capacitance
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1-1 GHz CMOS Variable Gain Amplifier Using Wideband Negative Capacitance

PARK, Hangue ; LEE, Sungho ; LEE, Jaejun ; NAM, Sangwook

IEICE transactions on electronics, 2009, Vol.92 (10), p.1311-1314 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Oxford University Press

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9
A 0.1-12 GHz fully differential CMOS distributed amplifier employing a feedforward distortion cancellation technique
A 0.1-12 GHz fully differential CMOS distributed amplifier employing a feedforward distortion cancellation technique
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1-12 GHz fully differential CMOS distributed amplifier employing a feedforward distortion cancellation technique

EL-KHATIB, Ziad ; MACEACHERN, Leonard ; MAHMOUD, Samy A

Piscataway, New Jersey: IEEE 2004

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10
A 0.1-1.5 GHz 8-bit Inverter-Based Digital-to-Phase Converter Using Harmonic Rejection
A 0.1-1.5 GHz 8-bit Inverter-Based Digital-to-Phase Converter Using Harmonic Rejection
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1-1.5 GHz 8-bit Inverter-Based Digital-to-Phase Converter Using Harmonic Rejection

Ming-Shuan Chen ; Hafez, Amr Amin ; Chih-Kong Ken Yang

IEEE journal of solid-state circuits, 2013-11, Vol.48 (11), p.2681-2692 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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