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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications

YANG, J.-Y ; BENAISSA, K ; ASHBURN, S ; MADHANI, P ; BLYTHE, T ; SHICHIJO, H ; CRENSHAW, D ; WILLIAMS, B ; SRIDHAR, S ; AI, J ; BOSELLI, G ; ZHAO, S ; TANG, S.-P ; MAHALINGAM, N

Piscataway NJ: IEEE 2002

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2
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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3
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
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0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters

Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; Dong, Tao ; Mendes, Paulo ; Wen, Yumei ; Li, Ping

IEEE transactions on electron devices, 2021-05, Vol.68 (5), p.2167-2172 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
0.18 μm CMOS fully differential CTIA for a 32x16 ROIC for 3D ladar imaging systems
0.18 μm CMOS fully differential CTIA for a 32x16 ROIC for 3D ladar imaging systems
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0.18 μm CMOS fully differential CTIA for a 32x16 ROIC for 3D ladar imaging systems

Helou, Jirar N ; Garcia, Jorge ; Sarmiento, Mayra ; Kiamilev, Fouad ; Lawler, William

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2006, Vol.6294, p.629409-629409-13

Bellingham, Wash: SPIE

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5
0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power
0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power
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0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power

Shin, Sangho ; Yun, Seokoh ; Cho, Sanghyun ; Kim, Jongmoon ; Kang, Minseok ; Oh, Wonkap ; Kang, Sung-Mo

2008 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2008, p.1958-1961

IEEE

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6
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
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A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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7
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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8
A 0.02% THD and 80 dB PSRR filterless class D amplifier with direct lithium battery hookup in mobile application
A 0.02% THD and 80 dB PSRR filterless class D amplifier with direct lithium battery hookup in mobile application
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A 0.02% THD and 80 dB PSRR filterless class D amplifier with direct lithium battery hookup in mobile application

Zheng, Hao ; Zhu, Zhangming ; Ma, Rui

Journal of semiconductors, 2017-07, Vol.38 (7), p.60-67 [Periódico revisado por pares]

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9
A 0.1–4.5 GHz MMIC Controlled Digital Step Attenuator Based on SiGe
A 0.1–4.5 GHz MMIC Controlled Digital Step Attenuator Based on SiGe
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1–4.5 GHz MMIC Controlled Digital Step Attenuator Based on SiGe

Dobush, I. M. ; Sheyerman, F. I. ; Babak, L. I. ; Svetlichnyi, Yu. A.

Instruments and experimental techniques (New York), 2019-04, Vol.62 (2), p.175-184 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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10
A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels
A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels
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A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels

Park, Soyeon ; Kim, Jintae

Electronics (Basel), 2022-08, Vol.11 (16), p.2525 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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  2. Brown, R  (1)
  3. Pauling, L  (1)
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