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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM
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(0 0 1) V surface structures analysed by RHEED and STM

Dulot, F. ; Turban, P. ; Kierren, B. ; Eugène, J. ; Alnot, M. ; Andrieu, S.

Surface science, 2001-02, Vol.473 (3), p.172-182 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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2
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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3
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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4
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
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0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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5
0.1-μm high-aspect-ratio pattern replication and linewidth control
0.1-μm high-aspect-ratio pattern replication and linewidth control
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0.1-μm high-aspect-ratio pattern replication and linewidth control

Chen, Zheng ; Vladimirsky, Yuli ; Cerrina, Franco ; Lai, Barry P ; Yun, Wenbing ; Gluskin, Efim S

SPIE proceedings series, 1998, Vol.3331, p.591-600

Bellingham WA: SPIE

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6
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
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0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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7
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications

YANG, J.-Y ; BENAISSA, K ; ASHBURN, S ; MADHANI, P ; BLYTHE, T ; SHICHIJO, H ; CRENSHAW, D ; WILLIAMS, B ; SRIDHAR, S ; AI, J ; BOSELLI, G ; ZHAO, S ; TANG, S.-P ; MAHALINGAM, N

Piscataway NJ: IEEE 2002

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8
0.11-μm imaging in KrF lithography using dipole illumination
0.11-μm imaging in KrF lithography using dipole illumination
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0.11-μm imaging in KrF lithography using dipole illumination

Eurlings, Mark ; van Setten, Eelco ; Torres, Juan Andres ; Dusa, Mircea V ; Socha, Robert J ; Capodieci, Luigi ; Finders, Jo

SPIE proceedings series, 2001, Vol.4404, p.266-278

Bellingham WA: SPIE

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9
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system
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0.12 micron logic process using a 248 nm step-and-scan system

BAKER, Dan ; ZHENG, Tammy ; TAKEMOTO, Cliff ; SETHI, Satyendra ; GABRIEL, Calvin ; SCOTT, Greg

SPIE proceedings series, 2000, p.294-304

Bellingham WA: SPIE

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10
0.12 μm optical lithography performances using an alternating DUV phase shift mask
0.12 μm optical lithography performances using an alternating DUV phase shift mask
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.12 μm optical lithography performances using an alternating DUV phase shift mask

Trouiller, Y. ; Buffet, N. ; Mourier, T. ; Schiavone, P. ; Quere, Y.

Microelectronic engineering, 1998-03, Vol.41, p.61-64 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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