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1	Material Type: Artículo		Effects of a temperature gradient on a domain-mode Gunn oscillator operating in a resonator Das, A. Solid-state electronics, 1974-01, Vol.17 (3), p.313-315 [Revista revisada por pares] Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
2	Material Type: Acta de Congreso		Effects of halo implant on hot carrier reliability of sub-quarter micron MOSFETs Das, A. ; De, H. ; Misra, V. ; Venkatesan, S. ; Veeraraghavan, S. ; Foisy, M. 1998 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 36th Annual (Cat. No.98CH36173), 1998, p.189-193 IEEE Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
3	Material Type: Acta de Congreso		Room temperature polariton lasing in a single ZnO nanowire microcavity Das, A. ; Heo, J. ; Guo, W. ; Bayraktaroglu, A. ; Phillips, J. ; Bhattacharya, P. 2012 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2012, p.1-2 IEEE Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
4	Material Type: Artículo		Characterisation and integration feasibility of JSR’s low- k dielectric LKD-5109 Das, A ; Kokubo, T ; Furukawa, Y ; Struyf, H ; Vos, I ; Sijmus, B ; Iacopi, F ; Van. Aelst, J ; Le, Q.T ; Carbonell, L ; Brongersma, S ; Maenhoudt, M ; Tokei, Z ; Vervoort, I ; Sleeckx, E ; Stucchi, M ; Schaekers, M ; Boullart, W ; Rosseel, E ; Van Hove, M ; Vanhaelemeersch, S ; Shiota, A ; Maex, K Microelectronic engineering, 2002-10, Vol.64 (1), p.25-33 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
5	Material Type: Artículo		Characterisation of JSR’s spin-on hardmask FF-02 Das, A. ; Le, Q.T. ; Furukawa, Y. ; Nguyen, V.H. ; Terzieva, V. ; de Theije, F. ; Whelan, C.M. ; Maenhoudt, M. ; Struyf, H. ; Tókei, Zs ; Iacopi, F. ; Stucchi, M. ; Carbonell, L. ; Vos, I. ; Bender, H. ; Patz, M. ; Beyer, G. ; Van Hove, M. ; Maex, K. Microelectronic engineering, 2003-11, Vol.70 (2), p.308-313 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
6	Material Type: Artículo		Numerical study of emitter-base junction design for AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors Das, A. ; Lundstrom, M.S. IEEE transactions on electron devices, 1988-07, Vol.35 (7), p.863-870 [Revista revisada por pares] New York, NY: IEEE Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
7	Material Type: Artículo		A scattering matrix approach to device simulation Das, A. ; Lundstrom, M.S. Solid-state electronics, 1990-10, Vol.33 (10), p.1299-1307 [Revista revisada por pares] Oxford: Elsevier Ltd Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
8	Material Type: Acta de Congreso		ATLAS: An adaptively formed hierarchical cell library based analog synthesis framework Das, Angan ; Vemuri, Ranga 2008 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2008, p.2542-2545 IEEE Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
9	Material Type: Artículo		Theoretical Investigation of Resonant Modes of Shorting Post Loaded Circular Microstrip Antenna On Sphere De, A. ; Chakravarty, T. Journal of electromagnetic waves and applications, 2000-01, Vol.14 (8), p.1087-1102 [Revista revisada por pares] Zeist: Taylor & Francis Group Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
10	Material Type: Artículo		Electrodeposition of Sn and Au–Sn alloys from a single non-cyanide electrolyte He, A. ; Ivey, D. G. Journal of materials science. Materials in electronics, 2012-12, Vol.23 (12), p.2186-2193 [Revista revisada por pares] Boston: Springer US Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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