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Voltage Driving Yellow Electroluminescence from β-CaSiO3:Mn2+ in Silicon Photonics
Voltage Driving Yellow Electroluminescence from β-CaSiO3:Mn2+ in Silicon Photonics
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Voltage Driving Yellow Electroluminescence from β-CaSiO3:Mn2+ in Silicon Photonics

Afandi, Mohammad M. ; Byun, Sanghun ; Fandiantoro, Dion H. ; Kim, Jongsu

IEEE electron device letters, 2024-01, p.1-1 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Full-Color AC-Driven Electroluminescence from Rare-Earths-doped ZnGa2O4 in MOS Structure
Full-Color AC-Driven Electroluminescence from Rare-Earths-doped ZnGa2O4 in MOS Structure
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Full-Color AC-Driven Electroluminescence from Rare-Earths-doped ZnGa2O4 in MOS Structure

Afandi, Mohammad M. ; Kim, Jongsu

IEEE electron device letters, 2023-01, p.1-1 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Ultraviolet Light-Based Current-Voltage Method for Simultaneous Extraction of Donor- and Acceptor-Like Interface Traps in \beta -Ga2O3 FETs
Ultraviolet Light-Based Current-Voltage Method for Simultaneous Extraction of Donor- and Acceptor-Like Interface Traps in \beta -Ga2O3 FETs
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Ultraviolet Light-Based Current-Voltage Method for Simultaneous Extraction of Donor- and Acceptor-Like Interface Traps in \beta -Ga2O3 FETs

Bae, Hagyoul ; Noh, Jinhyun ; Alghamdi, Sami ; Si, Mengwei ; Ye, Peide D.

IEEE electron device letters, 2018-11, Vol.39 (11), p.1708-1711 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Highly Scaled, High Endurance, Ω-Gate, Nanowire Ferroelectric FET Memory Transistors
Highly Scaled, High Endurance, Ω-Gate, Nanowire Ferroelectric FET Memory Transistors
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Highly Scaled, High Endurance, Ω-Gate, Nanowire Ferroelectric FET Memory Transistors

Bae, Jong-Ho ; Kwon, Daewoong ; Jeon, Namho ; Cheema, Suraj ; Tan, Ava Jiang ; Hu, Chenming ; Salahuddin, Sayeef

IEEE electron device letters, 2020-11, Vol.41 (11), p.1637-1640 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Pulse Dependent Threshold Voltage Variation of the Ovonic Threshold Switch in Cross-Point Memory
Pulse Dependent Threshold Voltage Variation of the Ovonic Threshold Switch in Cross-Point Memory
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Pulse Dependent Threshold Voltage Variation of the Ovonic Threshold Switch in Cross-Point Memory

Ban, Sanghyun ; Choi, Hyejung ; Lee, Wootae ; Hong, Seokman ; Zang, Hwanjun ; Lee, Beomseok ; Kim, Myoungsub ; Lee, Seungyun ; Lee, Hyungdong ; Kim, Taehoon

IEEE electron device letters, 2020-03, Vol.41 (3), p.373-376 [Periódico revisado por pares]

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Subthreshold Bias-Induced Threshold Voltage Shift of the Ovonic Threshold Switch
Subthreshold Bias-Induced Threshold Voltage Shift of the Ovonic Threshold Switch
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Subthreshold Bias-Induced Threshold Voltage Shift of the Ovonic Threshold Switch

Ban, Sanghyun ; Lee, Jangseop ; Seo, Yoori ; Kwon, Ohhyuk ; Lee, Wootae ; Kim, Taehoon ; Hwang, Hyunsang

IEEE electron device letters, 2024-01, Vol.45 (1), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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RRAM Device Performances under Capacitive-Enhanced Current Programming Scheme
RRAM Device Performances under Capacitive-Enhanced Current Programming Scheme
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RRAM Device Performances under Capacitive-Enhanced Current Programming Scheme

Bauvent, Thomas ; Trotti, Paola ; Billoint, Olivier ; Nodin, Jean-Francois ; Moursy, Yasser ; Molas, Gabriel ; Pillonnet, Gael

IEEE electron device letters, 2023-07, Vol.44 (7), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

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Impact of Vth Instability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC
Impact of Vth Instability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC
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Impact of Vth Instability on Time-Resolved Characteristics of MIS-HEMT-Based GaN Power IC

Bi, Lan ; Jiang, Qimeng ; Huang, Sen ; Wang, Xinhua ; Wang, Yingjie ; Li, Yuchen ; Guo, Fuqiang ; Luan, Tiantian ; Liu, Yang ; Fan, Jie ; Yin, Haibo ; Wei, Ke ; Zheng, Yingkui ; Li, Yankui ; Liu, Xinyu

IEEE electron device letters, 2021-10, Vol.42 (10), p.1440-1443 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Reduced Mechanical Strain in Bendable a-IGZO TFTs Under Dual-Gate Driving
Reduced Mechanical Strain in Bendable a-IGZO TFTs Under Dual-Gate Driving
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Reduced Mechanical Strain in Bendable a-IGZO TFTs Under Dual-Gate Driving

Billah, Mohammad Masum ; Han, Ji-Ung ; Hasan, Md Mehedi ; Jang, Jin

IEEE electron device letters, 2018-06, Vol.39 (6), p.835-838 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Highly Sensitive Temperature Sensor Using Low-Temperature Polysilicon Oxide Thin-Film Transistors
Highly Sensitive Temperature Sensor Using Low-Temperature Polysilicon Oxide Thin-Film Transistors
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Highly Sensitive Temperature Sensor Using Low-Temperature Polysilicon Oxide Thin-Film Transistors

Billah, Mohammad Masum ; Rabbi, Md Hasnat ; Park, Chanju ; Jang, Jin

IEEE electron device letters, 2021-12, Vol.42 (12), p.1864-1867 [Periódico revisado por pares]

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