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1
Use of an asymmetric pulse profile for higher crystalline volumes from excimer laser crystallization of amorphous silicon
Use of an asymmetric pulse profile for higher crystalline volumes from excimer laser crystallization of amorphous silicon
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Use of an asymmetric pulse profile for higher crystalline volumes from excimer laser crystallization of amorphous silicon

Adikaari, A. A. D. T. ; Mudugamuwa, N. K. ; Silva, S. R. P.

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (17) [Periódico revisado por pares]

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2
Second harmonic generation and atomic-force microscopy studies of porous silicon
Second harmonic generation and atomic-force microscopy studies of porous silicon
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Second harmonic generation and atomic-force microscopy studies of porous silicon

Aktsipetrov, O. A. ; Melnikov, A. V. ; Moiseev, Yu. N. ; Murzina, T. V. ; van Hasselt, C. W. ; Rasing, Th ; Rikken, G.

Applied physics letters, 1995-08, Vol.67 (9), p.1191-1193 [Periódico revisado por pares]

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3
Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO2 interfaces
Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO2 interfaces
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Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO2 interfaces

BRIGHT, A. A ; BATEY, J ; TIERNEY, E

Applied physics letters, 1991-02, Vol.58 (6), p.619-621 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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4
Epitaxial crystalline films of the metallic polymer (SN) x
Epitaxial crystalline films of the metallic polymer (SN) x
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Epitaxial crystalline films of the metallic polymer (SN) x

Bright, A. A. ; Cohen, Marshall J. ; Garito, A. F. ; Heeger, A. J. ; Mikulski, C. M. ; MacDiarmid, A. G.

Applied physics letters, 1975-06, Vol.26 (11), p.612-615 [Periódico revisado por pares]

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5
Reduction of unintentional aluminum spikes at SiC vapor phase epitaxial layer/substrate interfaces
Reduction of unintentional aluminum spikes at SiC vapor phase epitaxial layer/substrate interfaces
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Reduction of unintentional aluminum spikes at SiC vapor phase epitaxial layer/substrate interfaces

Burk, A. A. ; Rowland, L. B.

Applied physics letters, 1996-01, Vol.68 (3), p.382-384 [Periódico revisado por pares]

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6
Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots
Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots
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Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots

Das, A. ; Dimitrakopulos, G. P. ; Kotsar, Y. ; Lotsari, A. ; Kehagias, Th ; Komninou, Ph ; Monroy, E.

Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (20), p.201911-201911-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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7
Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11−22) InGaN layers
Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11−22) InGaN layers
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Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11−22) InGaN layers

Das, A. ; Magalhães, S. ; Kotsar, Y. ; Kandaswamy, P. K. ; Gayral, B. ; Lorenz, K. ; Alves, E. ; Ruterana, P. ; Monroy, E.

Applied physics letters, 2010-05, Vol.96 (18), p.181907 [Periódico revisado por pares]

United States

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8
Coexistence of different magnetic ordering in thin films of SrMnO3 studied by spin transport
Coexistence of different magnetic ordering in thin films of SrMnO3 studied by spin transport
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Coexistence of different magnetic ordering in thin films of SrMnO3 studied by spin transport

Das, A. ; Phanindra, V. Eswara ; Watson, A. J. ; Banerjee, T.

Applied physics letters, 2021-02, Vol.118 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Shallow donor state of hydrogen in indium nitride
Shallow donor state of hydrogen in indium nitride
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Shallow donor state of hydrogen in indium nitride

Davis, E. A. ; Cox, S. F. J. ; Lichti, R. L. ; Van de Walle, C. G.

Applied physics letters, 2003-01, Vol.82 (4), p.592-594 [Periódico revisado por pares]

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10
Half-integral constant voltage steps in high-Tc grain boundary junctions
Half-integral constant voltage steps in high-Tc grain boundary junctions
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Half-integral constant voltage steps in high-Tc grain boundary junctions

EARLY, E. A ; CLARK, A. F ; CHAR, K

Applied physics letters, 1993-06, Vol.62 (25), p.3357-3359 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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