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1
CAD for silicon anisotropic etching : Effect of etching products and diffusion
CAD for silicon anisotropic etching : Effect of etching products and diffusion
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

CAD for silicon anisotropic etching : Effect of etching products and diffusion

TABATA, O

Sensors and materials, 1998, Vol.10 (7), p.425-433 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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2
Fabrication of polycrystalline silicon solar cells showing high efficiency
Fabrication of polycrystalline silicon solar cells showing high efficiency
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Fabrication of polycrystalline silicon solar cells showing high efficiency

Das, Manas Kumar ; Chickerur, N S

Bulletin of materials science, 1998-12, Vol.21 (6), p.475-478 [Periódico revisado por pares]

Bangalore: Springer Nature B.V

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3
Effect of etchant concentration and defects on pyramid formation in TMAH etched silicon
Effect of etchant concentration and defects on pyramid formation in TMAH etched silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of etchant concentration and defects on pyramid formation in TMAH etched silicon

Choi, W K ; Thong, J T L ; Bai, Y ; Newaskar, Puneet ; Luo, P

Bulletin of materials science, 1999-05, Vol.22 (3), p.615-621 [Periódico revisado por pares]

Bangalore: Springer Nature B.V

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4
Change in orientation-dependent etching properties of single-crystal silicon caused by a surfactant added to TMAH solution
Change in orientation-dependent etching properties of single-crystal silicon caused by a surfactant added to TMAH solution
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Change in orientation-dependent etching properties of single-crystal silicon caused by a surfactant added to TMAH solution

SATO, Kazuo ; UCHIKAWA, Daisuke ; SHIKIDA, Mitsuhiro

Sensors and materials, 2001, Vol.13 (5), p.285-291 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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5
Understanding the evolution of silicon surface morphology during aqueous etching
Understanding the evolution of silicon surface morphology during aqueous etching
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Understanding the evolution of silicon surface morphology during aqueous etching

HINES, Melissa A

Sensors and materials, 2001, Vol.13 (5), p.247-258 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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6
Anisotropic etching of silicon in TMAH solutions
Anisotropic etching of silicon in TMAH solutions
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Anisotropic etching of silicon in TMAH solutions

TABATA, Osamu

Sensors and materials, 2001, Vol.13 (5), p.271-283 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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7
Etching microwave silicon [EMSi]-microwave enhanced fast deep anisotropic etching of silicon for micro-electromechanical systems [MEMS]
Etching microwave silicon [EMSi]-microwave enhanced fast deep anisotropic etching of silicon for micro-electromechanical systems [MEMS]
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Etching microwave silicon [EMSi]-microwave enhanced fast deep anisotropic etching of silicon for micro-electromechanical systems [MEMS]

DZIUBAN, Jan A ; WALCZAK, Rafat

Sensors and materials, 2001, Vol.13 (1), p.41-55 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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8
The preparation of ideally ordered flat H-Si(111) surfaces
The preparation of ideally ordered flat H-Si(111) surfaces
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The preparation of ideally ordered flat H-Si(111) surfaces

MUNFORD, Maximiliano L ; CORTES, Robert ; ALLONGUE, Philippe

Sensors and materials, 2001, Vol.13 (5), p.259-269 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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9
Anisotropic etching of silicon on {111} and near {111} planes
Anisotropic etching of silicon on {111} and near {111} planes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Anisotropic etching of silicon on {111} and near {111} planes

SONGSHENG TAN ; BOUDREAU, Robert ; REED, Michael L

Sensors and materials, 2001, Vol.13 (5), p.303-313 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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10
Temperature dependent etching of (100) and (110) silicon in NaOH and in tetramethyl-ammonium hydroxide
Temperature dependent etching of (100) and (110) silicon in NaOH and in tetramethyl-ammonium hydroxide
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature dependent etching of (100) and (110) silicon in NaOH and in tetramethyl-ammonium hydroxide

KLEPTSYN, Vladimir F ; SMITS, Johannes G

Sensors and materials, 2002, Vol.14 (8), p.415-428 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Myu

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