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0.13-μm 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficient redundancy and enhanced testability
0.13-μm 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficient redundancy and enhanced testability
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0.13-μm 32-Mb/64-Mb embedded DRAM core with high efficient redundancy and enhanced testability

Kikukawa, H. ; Tomishima, S. ; Tsuji, T. ; Kawasaki, T. ; Sakamoto, S. ; Ishikawa, M. ; Abe, W. ; Tanizaki, H. ; Kato, H. ; Uchikoba, T. ; Inokuchi, T. ; Senoh, M. ; Fukushima, Y. ; Nirro, M. ; Maruta, M. ; Shibayama, A. ; Ooishi, T. ; Takahashi, K. ; Hidaka, H.

IEEE journal of solid-state circuits, 2002-07, Vol.37 (7), p.932-940 [Periódico revisado por pares]

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2
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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3
1-100GHz microwave photonics link technologies for next-generation WiFi and 5G wireless communications
1-100GHz microwave photonics link technologies for next-generation WiFi and 5G wireless communications
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1-100GHz microwave photonics link technologies for next-generation WiFi and 5G wireless communications

Gee-Kung Chang ; Cheng Liu

2013 IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP), 2013, p.5-8

IEEE

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4
1.1V to +1.1V 3:1 Power Switch Architecture for Controlling Body Bias of SRAM Array in 28nm UTBB CMOS FDSOI
1.1V to +1.1V 3:1 Power Switch Architecture for Controlling Body Bias of SRAM Array in 28nm UTBB CMOS FDSOI
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1.1V to +1.1V 3:1 Power Switch Architecture for Controlling Body Bias of SRAM Array in 28nm UTBB CMOS FDSOI

Chhabra, Amit ; Rana, Vikas

2016 29th International Conference on VLSI Design and 2016 15th International Conference on Embedded Systems (VLSID), 2016, p.179-184

IEEE

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5
A 0.015-mm ^} Inductorless 32-GHz Clock Generator With Wide Frequency-Tuning Range in 28-nm CMOS Technology
A 0.015-mm ^} Inductorless 32-GHz Clock Generator With Wide Frequency-Tuning Range in 28-nm CMOS Technology
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A 0.015-mm ^} Inductorless 32-GHz Clock Generator With Wide Frequency-Tuning Range in 28-nm CMOS Technology

Jeong, Gyu-Seob ; Kim, Wooseok ; Park, Jaejin ; Kim, Taeik ; Park, Hojin ; Jeong, Deog-Kyoon

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2017-06, Vol.64 (6), p.655-659 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
A 0.18μm CMOS voltage multiplier arrangement for RF energy harvesting
A 0.18μm CMOS voltage multiplier arrangement for RF energy harvesting
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A 0.18μm CMOS voltage multiplier arrangement for RF energy harvesting

Chouhan, Shailesh Singh ; Halonen, Kari

Analog integrated circuits and signal processing, 2017-09, Vol.92 (3), p.343-353 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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7
A 0.25-μm CMOS 1.9-GHz PHS RF transceiver with a 150-kHz low-IF architecture
A 0.25-μm CMOS 1.9-GHz PHS RF transceiver with a 150-kHz low-IF architecture
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A 0.25-μm CMOS 1.9-GHz PHS RF transceiver with a 150-kHz low-IF architecture

JEONG, Hoesam ; YOO, Byoung-Joo ; HAN, Cheolkyu ; LEE, Sang-Yoon ; LEE, Kang-Yoon ; KIM, Suhwan ; JEONG, Deog-Kyoon ; KIM, Wonchan

IEEE journal of solid-state circuits, 2007-06, Vol.42 (6), p.1318-1327 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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8
A 0.5 V 10 b 3 MS/s 2-Then-1b/Cycle SAR ADC With Digital-Based Time-Domain Reference and Dual-Mode Comparator
A 0.5 V 10 b 3 MS/s 2-Then-1b/Cycle SAR ADC With Digital-Based Time-Domain Reference and Dual-Mode Comparator
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A 0.5 V 10 b 3 MS/s 2-Then-1b/Cycle SAR ADC With Digital-Based Time-Domain Reference and Dual-Mode Comparator

Jung, Dong-Kyu ; Seong, Kiho ; Han, Jae-Soub ; Shim, Yong ; Baek, Kwang-Hyun

IEEE transactions on circuits and systems. II, Express briefs, 2022-03, Vol.69 (3), p.909-913 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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9
A 0.5 V 8-12 Bit 300 KSPS SAR ADC With Adaptive Conversion Time Detection-and-Control for High Immunity to PVT Variations
A 0.5 V 8-12 Bit 300 KSPS SAR ADC With Adaptive Conversion Time Detection-and-Control for High Immunity to PVT Variations
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A 0.5 V 8-12 Bit 300 KSPS SAR ADC With Adaptive Conversion Time Detection-and-Control for High Immunity to PVT Variations

Kim, Ju Eon ; Yoo, Taegeun ; Jung, Dong-Kyu ; Yoon, Dong-Hyun ; Seong, Kiho ; Kim, Tony Tae-Hyoung ; Baek, Kwang-Hyun

IEEE access, 2020, Vol.8, p.101359-101368 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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10
A 0.6 mW/Gb/s, 6.4-7.2 Gb/s Serial Link Receiver Using Local Injection-Locked Ring Oscillators in 90 nm CMOS
A 0.6 mW/Gb/s, 6.4-7.2 Gb/s Serial Link Receiver Using Local Injection-Locked Ring Oscillators in 90 nm CMOS
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A 0.6 mW/Gb/s, 6.4-7.2 Gb/s Serial Link Receiver Using Local Injection-Locked Ring Oscillators in 90 nm CMOS

Kangmin Hu ; Tao Jiang ; Jingguang Wang ; O'Mahony, F. ; Chiang, P.Y.

IEEE journal of solid-state circuits, 2010-04, Vol.45 (4), p.899-908 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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