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1
Superconducting microwave parametric amplifier based on a quasi-fractal slow propagation line
Superconducting microwave parametric amplifier based on a quasi-fractal slow propagation line
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Superconducting microwave parametric amplifier based on a quasi-fractal slow propagation line

Adamyan, A. A. ; de Graaf, S. E. ; Kubatkin, S. E. ; Danilov, A. V.

Journal of applied physics, 2016-02, Vol.119 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Self-consistent recording model for perpendicularly oriented media
Self-consistent recording model for perpendicularly oriented media
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Self-consistent recording model for perpendicularly oriented media

Beardsley, I. A.

Journal of applied physics, 1982-03, Vol.53 (3), p.2582-2584 [Periódico revisado por pares]

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3
Lorentz Effect in Electron Diffraction Patterns of a Decomposing Gold-Nickel Alloy
Lorentz Effect in Electron Diffraction Patterns of a Decomposing Gold-Nickel Alloy
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Lorentz Effect in Electron Diffraction Patterns of a Decomposing Gold-Nickel Alloy

De Keijzer, A. A. ; Burgers, W. G.

Journal of applied physics, 1962-09, Vol.33 (9), p.2820-2822 [Periódico revisado por pares]

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4
Dislocation structure, formation, and minority-carrier recombination in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
Dislocation structure, formation, and minority-carrier recombination in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
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Dislocation structure, formation, and minority-carrier recombination in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors

FITZGERALD, E. A ; AST, D. G ; ASHIZAWA, Y ; AKBAR, S ; EASTMAN, L. F

Journal of applied physics, 1988-09, Vol.64 (5), p.2473-2487 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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5
Structure and recombination in InGaAs/GaAs heterostructures
Structure and recombination in InGaAs/GaAs heterostructures
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Structure and recombination in InGaAs/GaAs heterostructures

FITZGERALD, E. A ; AST, D. G ; KIRCHNER, P. D ; PETTIT, G. D ; WOODALL, J. M

Journal of applied physics, 1988-02, Vol.63 (3), p.693-703 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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6
Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth area
Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth area
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Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth area

FITZGERALD, E. A ; WATSON, G. P ; PROANO, R. E ; AST, D. G ; KIRCHNER, P. D ; PETTIT, G. D ; WOODALL, J. M

Journal of applied physics, 1989-03, Vol.65 (6), p.2220-2237 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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7
Dusty plasma formation: Physics and critical phenomena. Theoretical approach
Dusty plasma formation: Physics and critical phenomena. Theoretical approach
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Dusty plasma formation: Physics and critical phenomena. Theoretical approach

Fridman, A. A. ; Boufendi, L. ; Hbid, T. ; Potapkin, B. V. ; Bouchoule, A.

Journal of applied physics, 1996-02, Vol.79 (3), p.1303-1314 [Periódico revisado por pares]

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8
Solid-liquid phase transitions in single crystal Cu under shock and release conditions
Solid-liquid phase transitions in single crystal Cu under shock and release conditions
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Solid-liquid phase transitions in single crystal Cu under shock and release conditions

He, A. M. ; Wang, P. ; Shao, J. L. ; Duan, S. Q. ; Zhao, F. P. ; Luo, S. N.

Journal of applied physics, 2014-04, Vol.115 (14) [Periódico revisado por pares]

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9
Metal content of multicrystalline silicon for solar cells and its impact on minority carrier diffusion length
Metal content of multicrystalline silicon for solar cells and its impact on minority carrier diffusion length
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Metal content of multicrystalline silicon for solar cells and its impact on minority carrier diffusion length

Istratov, A. A. ; Buonassisi, T. ; McDonald, R. J. ; Smith, A. R. ; Schindler, R. ; Rand, J. A. ; Kalejs, J. P. ; Weber, E. R.

Journal of applied physics, 2003-11, Vol.94 (10), p.6552-6559 [Periódico revisado por pares]

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10
Nickel solubility in intrinsic and doped silicon
Nickel solubility in intrinsic and doped silicon
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Nickel solubility in intrinsic and doped silicon

Istratov, A. A. ; Zhang, P. ; McDonald, R. J. ; Smith, A. R. ; Seacrist, M. ; Moreland, J. ; Shen, J. ; Wahlich, R. ; Weber, E. R.

Journal of applied physics, 2005-01, Vol.97 (2), p.023505-023505-6 [Periódico revisado por pares]

United States: The American Institute of Physics

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