skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: HEAL-Link subscriptions: Institute of Physics (IOP) Journals remover assunto: Materials Science, Multidisciplinary remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
The wetting of oxide films on silicon and the monitoring of fixed charge
The wetting of oxide films on silicon and the monitoring of fixed charge
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The wetting of oxide films on silicon and the monitoring of fixed charge

Stoneham, A M ; Tasker, P W

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.93-96 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Spatial distribution of electroluminescence in ZnSe diodes with epitaxial I layer
Spatial distribution of electroluminescence in ZnSe diodes with epitaxial I layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Spatial distribution of electroluminescence in ZnSe diodes with epitaxial I layer

Jones, A P C ; Brinkman, A W ; Russell, G J ; Woods, J ; Wright, P J ; Cockayne, B

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.41-44 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Characteristics of silicon solar cells with polysilicon on the front surface
Characteristics of silicon solar cells with polysilicon on the front surface
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Characteristics of silicon solar cells with polysilicon on the front surface

Mehta, S K

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.97-101 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Dielectric spectroscopy of semi-insulating gallium arsenide
Dielectric spectroscopy of semi-insulating gallium arsenide
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dielectric spectroscopy of semi-insulating gallium arsenide

Jonscher, A K ; Pickup, C ; Zaidi, S H

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.71-92 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Absorption studies of beryllium-doped silicon
Absorption studies of beryllium-doped silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Absorption studies of beryllium-doped silicon

Kleverman, M ; Grimmeiss, H G

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.45-48 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Phonon-scattering limitation of the metallic conductivity of a quasi-two-dimensional semiconductor structure
Phonon-scattering limitation of the metallic conductivity of a quasi-two-dimensional semiconductor structure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Phonon-scattering limitation of the metallic conductivity of a quasi-two-dimensional semiconductor structure

Milsom, P K ; Butcher, P N

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.58-62 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Hot-electron transport in heavily doped GaAs
Hot-electron transport in heavily doped GaAs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Hot-electron transport in heavily doped GaAs

Long, A P ; Beton, P H ; Kelly, M J

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.63-70 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Investigation of InGaAs-InP quantum wells by optical spectroscopy
Investigation of InGaAs-InP quantum wells by optical spectroscopy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of InGaAs-InP quantum wells by optical spectroscopy

Skolnick, M S ; Tapster, P R ; Bass, S J ; Pitt, A D ; Apsley, N ; Aldred, S P

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.29-40 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers
Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers

Blood, P

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.7-27 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Photothermal investigations of magnesium-related donors in silicon
Photothermal investigations of magnesium-related donors in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photothermal investigations of magnesium-related donors in silicon

Kleverman, M ; Bergman, K ; Grimmeiss, H G

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.49-52 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (67.563)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (66.498)
  2. Anais de Congresso  (1.823)
  3. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1993  (1.428)
  2. 1993Até2000  (3.371)
  3. 2001Até2008  (10.094)
  4. 2009Até2017  (27.990)
  5. Após 2017  (25.439)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Japonês  (6.304)
  2. Russo  (78)
  3. Norueguês  (18)
  4. Francês  (3)
  5. Galês  (1)
  6. Sueco  (1)
  7. Romeno  (1)
  8. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.