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Resultados de 1 a 10 de 49  para Produção Intelectual da USP

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1
Stability and accuracy control of k . p parameters
Stability and accuracy control of k . p parameters
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Stability and accuracy control of k . p parameters

Carlos M. O. Bastos Fernando P Sabino; Paulo E Faria Junior; Tiago Campos; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi

Semiconductor Science and Technology Bristol : Institute of Physics - IOP v. 31, n. 10, p. 105002-1-105002-10, Oct. 2016

Bristol 2016

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD025187 ) e outros locais(Acessar)

2
New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures
New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures
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New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures

D Beliaev L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

v.8 , p.1479, 1993 Semiconductor Science and Technology

1993

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3
New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures
New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures
Material Type:
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New theoretical model for optical transitions in the photoreflectance spectrum from 'GHAMA'-doped structures

D Beliaev L M R Scolfaro; J. R Leite (José Roberto)

v.8 , p.1479, 1993 Semiconductor Science and Technology

1993

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4
Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation
Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation
Material Type:
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Analog performance of standard and uniaxial strained triple-gate SOI FinFETs under x-ray radiation

Caio Cesar Mendes Bordallo João Antonio Martino 1959-; Fernando Ferrari Teixeira; Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira; Paula Ghedini Der Agopian; Eddy Simoen; Cor Claeys

Semiconductor Science and Technology v. 29, n. 12, p. 125015

2014

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5
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K
Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K
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Analog parameters of solid source Zn diffusion In X Ga1−X As nTFETs down to 10 K

Caio Cesar Mendes Bordallo A Vandooren; Rita Rooyackers; Yannick Mols; A Alian; Paula Ghedini Der Agopian; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 31, n. 12, p. 124001, 2016

2016

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6
Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape
Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape
Material Type:
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Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape

Rudolf Theoderich Bühler R Giacomini; Marcelo Antonio Pavanello; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 24, n.11, 2009

Bristol; Woodbury 2009

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7
Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape
Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Trapezoidal SOI FinFET analog parameters' dependence on cross-section shape

Rudolf Theoderich Bühler R Giacomini; Marcelo Antonio Pavanello; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 24, n.11, 2009

Bristol; Woodbury 2009

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8
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics

Bruno Godoy Canales Welder Fernandes Perina; João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Uthayasankaran Peralagu; Nadine Collaert; Paula Ghedini Der Agopian

Semiconductor Science and Technology Bristol v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023. Article nº 115004

Bristol 2023

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9
Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K
Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of proton irradiated n- and p-type strained FinFETs at low temperatures down to 100 K

Luís Felipe Vicentis Caparroz Paula Ghedini Der Agopian; Cor Claeys; Eddy Simoen; Caio Cesar Mendes Bordallo; João Antonio Martino 1959-

Semiconductor Science and Technology v. 33, n. 6, p. 065003, 2018

2018

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10
Exciton-phonon systems in 'GA''AS'-'GA IND. 1-X''AL IND.X''AS' quantum wells
Exciton-phonon systems in 'GA''AS'-'GA IND. 1-X''AL IND.X''AS' quantum wells
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exciton-phonon systems in 'GA''AS'-'GA IND. 1-X''AL IND.X''AS' quantum wells

Marcos Henrique Degani Oscar Hipólito

Inglaterra v.2 , p.578-581, 1987 Semiconductor Science and Technology

Inglaterra 1987

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD000736 )(Acessar)

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  1. Martino, J
  2. Henriques, A
  3. Leite, J
  4. Agopian, P
  5. Gonçalves, L

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Semicondutores
  3. Engenharia Mecânica
  4. Microeletrônica
  5. Silício

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