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Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors
Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors
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Stabilization of substitutional Mn in silicon-based semiconductors

DA SILVA, Antonio J. R ; FAZZIO, A ; ANTONELLI, Alex

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2004-11, Vol.70 (19), p.193205.1-193205.4, Article 193205

Ridge, NY: American Physical Society

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2
Defect complexes in GaAs: First-principles calculations
Defect complexes in GaAs: First-principles calculations
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Defect complexes in GaAs: First-principles calculations

Janotti, A. ; Fazzio, A. ; Piquini, P. ; Mota, R.

Physical review. B, Condensed matter, 1997-11, Vol.56 (20), p.13073-13076

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3
Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride
Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride
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Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride

Piquini, P. ; Mota, R. ; Schmidt, T. M. ; Fazzio, A.

Physical review. B, Condensed matter, 1997-08, Vol.56 (7), p.3556-3559

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4
Germanium negative-U center in GaAs
Germanium negative-U center in GaAs
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Germanium negative-U center in GaAs

Schmidt, TM ; Fazzio, A ; Caldas, MJ

Physical review. B, Condensed matter, 1996-01, Vol.53 (3), p.1315-1321

United States

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5
Ab initio calculation of electronic properties of periodically Si- delta -doped GaAs
Ab initio calculation of electronic properties of periodically Si- delta -doped GaAs
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Ab initio calculation of electronic properties of periodically Si- delta -doped GaAs

Schmidt, TM ; Fazzio, A

Physical review. B, Condensed matter, 1995-03, Vol.51 (12), p.7898-7900

United States

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6
Role played by N and N-N impurities in type-IV semiconductors
Role played by N and N-N impurities in type-IV semiconductors
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Role played by N and N-N impurities in type-IV semiconductors

CUNHA, C ; CANUTO, S ; FAZZIO, A

Physical review. B, Condensed matter, 1993-12, Vol.48 (24), p.17806-17810

Woodbury, NY: American Physical Society

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7
Intra-d excitations: comparison between approaches for impurities in semiconductors
Intra-d excitations: comparison between approaches for impurities in semiconductors
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Intra-d excitations: comparison between approaches for impurities in semiconductors

MAKIUCHI, N ; FAZZIO, A ; CANUTO, S

Physical review. B, Condensed matter, 1988-03, Vol.37 (9), p.4770-4773

Woodbury, NY: American Physical Society

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8
Theory of interstitial transition atoms in GaAs
Theory of interstitial transition atoms in GaAs
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Theory of interstitial transition atoms in GaAs

SCOLFARO, L. M. R ; FAZZIO, A

Physical review. B, Condensed matter, 1987-11, Vol.36 (14), p.7542-7548

Woodbury, NY: American Physical Society

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9
Analysis of pseudo-Jahn-Teller instability: O, S, and N- in silicon
Analysis of pseudo-Jahn-Teller instability: O, S, and N- in silicon
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Analysis of pseudo-Jahn-Teller instability: O, S, and N- in silicon

VALLE DO AMARAL, O. A ; ANTONELLI, A ; FAZZIO, A

Physical review. B, Condensed matter, 1987-04, Vol.35 (12), p.6450-6453

Woodbury, NY: American Physical Society

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10
Excitation and ionization of Mo and W in GaAs
Excitation and ionization of Mo and W in GaAs
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Excitation and ionization of Mo and W in GaAs

Makiuchi, N ; Fazzio, A ; Caldas, MJ

Physical review. B, Condensed matter, 1986-08, Vol.34 (4), p.2690-2694

United States

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