skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: assunto: Physics, Applied remover IngentaConnect Journals remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
On the role of uncontrolled sinks in silicon under irradiation
On the role of uncontrolled sinks in silicon under irradiation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

On the role of uncontrolled sinks in silicon under irradiation

Neimash, V. B. ; Sagan, T. R. ; Tsmots, V. M. ; Siratskii, V. M. ; Sosnin, M. G. ; Shakhovtsov, V. I. ; Shindich, V. L.

Physica status solidi. A, Applied research, 1991-02, Vol.123 (2), p.K95-K100

Berlin: WILEY-VCH Verlag

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Proton beam modification of selected AIIIBV compounds
Proton beam modification of selected AIIIBV compounds
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Proton beam modification of selected AIIIBV compounds

ASCHERON, C

Physica status solidi. A, Applied research, 1991-03, Vol.124 (1), p.11-55

Berlin: Wiley-VCH

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Properties of the Josephson medium at finite temperature
Properties of the Josephson medium at finite temperature
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Properties of the Josephson medium at finite temperature

Baranov, M.A. ; Gorbachev, V.S. ; Senatorov, A.V.

Physica. C, Superconductivity, 1991-08, Vol.179 (1), p.52-58 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Defect control in highly mismatched III-V semiconductor heterostructures through virtual-surfactant-mediated molecular beam epitaxy
Defect control in highly mismatched III-V semiconductor heterostructures through virtual-surfactant-mediated molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Defect control in highly mismatched III-V semiconductor heterostructures through virtual-surfactant-mediated molecular beam epitaxy

Ploog, K. H. ; Trampert, A. ; Tournié, E.

Physica status solidi. A, Applied research, 1994-11, Vol.146 (1), p.353-370

Berlin: WILEY-VCH Verlag

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Mg2Si buffer layers on Si(100) prepared by a simple evaporation method
Mg2Si buffer layers on Si(100) prepared by a simple evaporation method
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Mg2Si buffer layers on Si(100) prepared by a simple evaporation method

TOMPA, G. S ; LI, Y. B ; AGASSI, D ; KIM, S. I ; HONG, S. K

Journal of electronic materials, 1996-06, Vol.25 (6), p.925-929 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Low temperature photoluminescence of tellurium-doped GaSb grown by molecular beam epitaxy
Low temperature photoluminescence of tellurium-doped GaSb grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low temperature photoluminescence of tellurium-doped GaSb grown by molecular beam epitaxy

Bignazzi, A. ; Grilli, E. ; Guzzi, M. ; Radice, M. ; Bosacchi, A. ; Franchi, S. ; Magnanini, R.

Journal of crystal growth, 1996-12, Vol.169 (3), p.450-456 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Bulk GaN single-crystals growth
Bulk GaN single-crystals growth
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Bulk GaN single-crystals growth

Kamler, Grzegorz ; Zachara, Janusz ; Podsiadło, Sławomir ; Adamowicz, Leszek ; Gębicki, Wojciech

Journal of crystal growth, 2000, Vol.212 (1), p.39-48 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Application of CCl2F2- and CCl4-based plasmas for RIE of GaSb and related materials
Application of CCl2F2- and CCl4-based plasmas for RIE of GaSb and related materials
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Application of CCl2F2- and CCl4-based plasmas for RIE of GaSb and related materials

PIOTROWSKA, A ; KAMINSKA, E ; PIOTROWSKI, T. T ; GUZIEWICZ, M ; GOLASZEWSKA, K ; PAPIS, E ; WROBEL, J ; PERCHUC, L

Vacuum, 2000, Vol.56 (1), p.57-61 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Behaviour of a nanometric SnO2 powder under swift heavy-ion irradiation: From sputtering to splitting
Behaviour of a nanometric SnO2 powder under swift heavy-ion irradiation: From sputtering to splitting
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Behaviour of a nanometric SnO2 powder under swift heavy-ion irradiation: From sputtering to splitting

Berthelot, A. ; Hémon, S. ; Gourbilleau, F. ; Dufour, C. ; Domengès, B. ; Paumier, E.

Philosophical magazine. A, Physics of condensed matter. Defects and mechanical properties, 2000-10, Vol.80 (10), p.2257-2281 [Periódico revisado por pares]

London: Taylor & Francis Group

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
The ideal strength of tungsten
The ideal strength of tungsten
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The ideal strength of tungsten

Roundy, D. ; Krenn, C. R. ; Cohen, M. L. ; Morris, J. W.

Philosophical magazine. A, Physics of condensed matter. Defects and mechanical properties, 2001-07, Vol.81 (7), p.1725-1747 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (371)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (374)
  2. Anais de Congresso  (2)
  3. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de2001  (9)
  2. 2001Até2009  (7)
  3. 2010Até2013  (13)
  4. 2014Até2018  (64)
  5. Após 2018  (283)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Japonês  (43)
  2. Alemão  (1)
  3. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.