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0.18 um modular triple self-aligned embedded split-gate flash memory
0.18 um modular triple self-aligned embedded split-gate flash memory
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.18 um modular triple self-aligned embedded split-gate flash memory

Mih, R. ; Harrington, J. ; Houlihan, K. ; Hyun Koo Lee ; Chan, K. ; Johnson, J. ; Bomy Chen ; Jiang Yan ; Schmidt, A. ; Gruensfelder, C. ; Kisang Kim ; Shum, D. ; Lo, C. ; Lee, D. ; Levi, A. ; Chung Lam

2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, p.120-121

IEEE

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2
100 kW coherently combined slab MOPAs
100 kW coherently combined slab MOPAs
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

100 kW coherently combined slab MOPAs

McNaught, S.J. ; Komine, H. ; Weiss, S.B. ; Simpson, R. ; Johnson, A.M.F. ; Machan, J. ; Asman, C.P. ; Weber, M. ; Jones, G.C. ; Valley, M.M. ; Jankevics, A. ; Burchman, D. ; McClellan, M. ; Sollee, J. ; Marmo, J. ; Injeyan, H.

2009 Conference on Lasers and Electro-Optics and 2009 Conference on Quantum electronics and Laser Science Conference, 2009, p.1-2

IEEE

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3
100-picometer interferometry for EUVL
100-picometer interferometry for EUVL
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

100-picometer interferometry for EUVL

Sommargren, Gary E ; Phillion, D. W ; Johnson, Michael A ; Nguyen, Nhan Q ; Barty, Anton ; Snell, Franklyn J ; Dillon, Daren R ; Bradsher, Lloyd S

SPIE 2002

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4
100W High-Brightness Multi-Emitter Laser Pump
100W High-Brightness Multi-Emitter Laser Pump
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

100W High-Brightness Multi-Emitter Laser Pump

DUESTERBERG, Richard ; LEI XU ; DONGLIANG YIN ; CHENG, Peter ; RAJU, Reddy ; KONG WENG LEE ; CAI, Jason ; ROSSIN, Victor ; ZUCKER, Erik P ; SKIDMORE, Jay A ; GUO, James ; CHENG, Jane ; JIHUA DU ; JOHNSON, Brad ; VECHT, David L ; GUERIN, Nicolas ; HUANG, Benlih

Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering, 2011, Vol.7918

Bellingham WA: SPIE

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5
128x128-pixel long-wavelength infrared acquisition camera
128x128-pixel long-wavelength infrared acquisition camera
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

128x128-pixel long-wavelength infrared acquisition camera

LeVan, Paul D ; Colucci, D'nardo ; Cowan, William D ; Figie, Brian D ; Stewart, Eric J

SPIE 1994

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6
1.3 /spl mu/m GaAsSb resonant-cavity light-emitting diodes grown on GaAs substrate
1.3 /spl mu/m GaAsSb resonant-cavity light-emitting diodes grown on GaAs substrate
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

1.3 /spl mu/m GaAsSb resonant-cavity light-emitting diodes grown on GaAs substrate

Jin, X. ; Yu, S.-Q. ; Cao, Y. ; Ding, D. ; Wang, J.-B. ; Samal, N. ; Sadofyev, Y. ; Johnson, S.R. ; Zhang, Y.-H.

The 16th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 2003. LEOS 2003, 2003, Vol.1, p.69-70 vol.1

IEEE

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7
150 W GaN-on-Si RF Power Transistor
150 W GaN-on-Si RF Power Transistor
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

150 W GaN-on-Si RF Power Transistor

Nagy, W. ; Singhal, S. ; Borges, R. ; Johnson, J.W. ; Brown, J.D. ; Therrien, R. ; Chaudhari, A. ; Hanson, A.W. ; Riddle, J. ; Booth, S. ; Rajagopal, P. ; Piner, E. L. ; Linthicum, K.J.

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2005, 2005, p.483-486

IEEE

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8
1.55-μm mode expander using single epitaxial growth
1.55-μm mode expander using single epitaxial growth
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

1.55-μm mode expander using single epitaxial growth

Dagenais, Mario ; Saini, Simarjeet S ; Vusirikala, Vijayanand ; Bartolo, Robert E ; Whaley, Ralph D ; Johnson, F. G ; Stone, Dennis

SPIE 1998

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9
1.55 μm mode expanders using single epitaxial growth
1.55 μm mode expanders using single epitaxial growth
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

1.55 μm mode expanders using single epitaxial growth

DAGENAIS, M ; SAINI, S. S ; VUSIRIKALA, V ; BARTOLO, R. E ; WHALEY, R. D ; JOHNSON, F. G ; STONE, D. R

SPIE proceedings series, 1998, p.352-361

Bellingham WA: SPIE

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10
1.6 kV 4H-SiC Schottky diodes for IGBT applications
1.6 kV 4H-SiC Schottky diodes for IGBT applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

1.6 kV 4H-SiC Schottky diodes for IGBT applications

Johnson, C.M ; Rahimo, M ; Wright, N.G ; Hinchley, D.A ; Horsfall, A.B ; Morrison, D.J ; Knights, A

8th International Conference on Power Electronics and Variable Speed Drives, 2000, p.241-245

London: IEE

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  2. 1981Até1990  (246)
  3. 1991Até2000  (1.334)
  4. 2001Até2011  (1.677)
  5. Após 2011  (569)
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