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1
Desenvolvimento de um 'DELTA'-fet de 'GA''AS' crescido por mbe
Desenvolvimento de um 'DELTA'-fet de 'GA''AS' crescido por mbe
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Desenvolvimento de um 'DELTA'-fet de 'GA''AS' crescido por mbe

N La Scala Junior J C Rossi; A Maeda; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (14. 1991 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1991

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001853 ) e outros locais(Acessar)

2
Crescimento e caracterizacao de estruturas eletronicas de 'GA''AS'/'AL''GA''AS' para aplicacoes em dispositivos
Crescimento e caracterizacao de estruturas eletronicas de 'GA''AS'/'AL''GA''AS' para aplicacoes em dispositivos
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Crescimento e caracterizacao de estruturas eletronicas de 'GA''AS'/'AL''GA''AS' para aplicacoes em dispositivos

Jose Carlos Rossi Pierre Basmaji

1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (Te1005 )(Acessar)

3
Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon
Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon

D L Lubyshev J C Rossi; G Gussev; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (16. 1993 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1993

Sao Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD003059 ) e outros locais(Acessar)

4
'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'
'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

'IN''AS' wire crystals grown by molecular beam epitaxy on porous 'SI'

Pierre Basmaji D I Lubyshev; J C Rossi

Berlin v.139, n.1 , p.k21-4, sep. 1993 Physica Status Solidi a

Berlin 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002745 )(Acessar)

5
Nano-scale wires of 'GA''AS ON POROUS 'si' grown by molecular beam epitaxy
Nano-scale wires of 'GA''AS ON POROUS 'si' grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Nano-scale wires of 'GA''AS ON POROUS 'si' grown by molecular beam epitaxy

D I Lubyshev J C Rossi; G M Gusev; Pierre Basmaji

Amsterdam v.132, p.533-7, 1993 Journal of Crystal Growth

Amsterdam 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002733 )(Acessar)

6
Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon
Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Wire crystals 'GA''AS' and 'IN''AS' grown by mbe on porous silicon

D L Lubyshev J C Rossi; G M Gusev; Pierre Basmaji; Brazilian School of Semiconductor Physics (6. 1993 São Carlos)

Abstracts São Carlos : USP/Ufscar, 1993

Sao Carlos Usp/Ufscar 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002645 )(Acessar)

7
Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso
Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da estabilidade da intensidade de fotoluminescencia em camadas de silico poroso

A A Bernussi Pierre Basmaji; J C Rossi; B Matvienko; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (16. 1993 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1993

São Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002596 )(Acessar)

8
Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe
Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe

J C Rossi D I Lubeshev; Pierre Basmaji; P S Pizzani; J C Galzerani; A C Notari; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (16. 1993 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1993

Sao Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002592 )(Acessar)

9
Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI'by molecular beam epitaxy
Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI'by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI'by molecular beam epitaxy

J C Galzerani P S Pizani; J C Rossi; D I Lubyshev; Pierre Basmaji; Brazilian School of Semiconductor Physics (6. 1993 São Carlos)

Abstracts São Carlos : USP/Ufscar, 1993

Sao Carlos Usp/Ufscar 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002661 )(Acessar)

10
Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe
Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades eletricas de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' heteroestruturas e pocos quanticos crescidos seletivamente sobre 'GA''AS' orientado (311)a e (3ll)b por mbe

D L Lubyshev G M Gusev; J C Rossi; A Runho; J. P Ferreira; Pierre Basmaji; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (16. 1993 Caxambu)

Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1993

Sao Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1993

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD002599 )(Acessar)

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