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0- and 2/3-magnetization plateaus in three-leg antiferromagnetic Heisenberg spin-1/2 ladders with leg-dimerization
0- and 2/3-magnetization plateaus in three-leg antiferromagnetic Heisenberg spin-1/2 ladders with leg-dimerization
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0- and 2/3-magnetization plateaus in three-leg antiferromagnetic Heisenberg spin-1/2 ladders with leg-dimerization

Li, Rui-Xue ; Wang, Shu-Ling ; Ni, Yun ; Yao, Kai-Lun ; Fu, Hua-Hua

Physics letters. A, 2014-02, Vol.378 (13), p.970-974 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
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0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters

Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; Dong, Tao ; Mendes, Paulo ; Wen, Yumei ; Li, Ping

IEEE transactions on electron devices, 2021-05, Vol.68 (5), p.2167-2172 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
1/f Magnetic Noise Dependence on Free Layer Thickness in Hysteresis Free MgO Magnetic Tunnel Junctions
1/f Magnetic Noise Dependence on Free Layer Thickness in Hysteresis Free MgO Magnetic Tunnel Junctions
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1/f Magnetic Noise Dependence on Free Layer Thickness in Hysteresis Free MgO Magnetic Tunnel Junctions

Wisniowski, P. ; Almeida, J.M. ; Freitas, P.P.

IEEE transactions on magnetics, 2008-11, Vol.44 (11), p.2551-2553

New York, NY: IEEE

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4
1 / f noise in MgO double-barrier magnetic tunnel junctions
1 / f noise in MgO double-barrier magnetic tunnel junctions
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1 / f noise in MgO double-barrier magnetic tunnel junctions

Yu, G. Q. ; Diao, Z. ; Feng, J. F. ; Kurt, H. ; Han, X. F. ; Coey, J. M. D.

Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (11), p.112504-112504-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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5
1 / f noise of a nanopillar tunnel-magnetoresistance sensor originating from a wide distribution of bath correlation times
1 / f noise of a nanopillar tunnel-magnetoresistance sensor originating from a wide distribution of bath correlation times
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1 / f noise of a nanopillar tunnel-magnetoresistance sensor originating from a wide distribution of bath correlation times

Imamura, Hiroshi ; Arai, Hiroko ; Matsumoto, Rie ; Yamaji, Toshiki

Physical review applied, 2024-07, Vol.22 (1), Article 014032 [Periódico revisado por pares]

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6
1/m expansion in spin glasses and the de Almeida-Thouless line
1/m expansion in spin glasses and the de Almeida-Thouless line
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1/m expansion in spin glasses and the de Almeida-Thouless line

Moore, M A

Physical review. E, Statistical, nonlinear, and soft matter physics, 2012-09, Vol.86 (3 Pt 1), p.031114-031114, Article 031114

United States

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7
1/N expansion in the random anisotropy model: a solution with replica-symmetry breaking
1/N expansion in the random anisotropy model: a solution with replica-symmetry breaking
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1/N expansion in the random anisotropy model: a solution with replica-symmetry breaking

GOLDSCHMIDT, Y. Y

Physical review. B, Condensed matter, 1984-08, Vol.30 (3), p.1632-1635

Woodbury, NY: American Physical Society

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8
1-T Capacitorless DRAM Using Bandgap-Engineered Silicon-Germanium Bipolar I-MOS
1-T Capacitorless DRAM Using Bandgap-Engineered Silicon-Germanium Bipolar I-MOS
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1-T Capacitorless DRAM Using Bandgap-Engineered Silicon-Germanium Bipolar I-MOS

Lahgere, Avinash ; Kumar, Mamidala Jagadesh

IEEE transactions on electron devices, 2017-04, Vol.64 (4), p.1583-1590 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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9
1-T Capacitorless DRAM Using Laterally Bandgap Engineered Si-Si:C Heterostructure Bipolar I-MOS for Improved Sensing Margin and Retention Time
1-T Capacitorless DRAM Using Laterally Bandgap Engineered Si-Si:C Heterostructure Bipolar I-MOS for Improved Sensing Margin and Retention Time
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1-T Capacitorless DRAM Using Laterally Bandgap Engineered Si-Si:C Heterostructure Bipolar I-MOS for Improved Sensing Margin and Retention Time

Lahgere, Avinash ; Kumar, Mamidala Jagadesh

IEEE transactions on nanotechnology, 2018-05, Vol.17 (3), p.543-551 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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10
1 ∕ f noise in linearized low resistance MgO magnetic tunnel junctions
1 ∕ f noise in linearized low resistance MgO magnetic tunnel junctions
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

1 ∕ f noise in linearized low resistance MgO magnetic tunnel junctions

Almeida, J. M. ; Ferreira, R. ; Freitas, P. P. ; Langer, J. ; Ocker, B. ; Maass, W.

Journal of applied physics, 2006-04, Vol.99 (8), p.08B314-08B314-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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  1. Boutan, A
  2. Almeida, J
  3. Saito, S
  4. Pacca, J
  5. Almeida, H

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  1. Physics
  2. Physics
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