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0-1 GHZ WAVE-GUIDE 10.6 MU M GAAS ELECTROOPTIC MODULATOR
0-1 GHZ WAVE-GUIDE 10.6 MU M GAAS ELECTROOPTIC MODULATOR
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0-1 GHZ WAVE-GUIDE 10.6 MU M GAAS ELECTROOPTIC MODULATOR

BROWN, RT

IEEE journal of quantum electronics, 1992-05, Vol.28 (5), p.1349-1352 [Periódico revisado por pares]

NEW YORK: IEEE

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2
0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser
0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser
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0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser

Ishida, O. ; Toba, H. ; Tohmori, Y.

IEEE photonics technology letters, 1989-12, Vol.1 (12), p.452-454

IEEE

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3
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs
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0.1-1-THz High-Repetition-Rate Femtosecond Pulse Generation From Quasi-CW Dual-Pumped All-Fiber Phase-Locked Kerr Combs

Luo, Zhengqian ; Zhong, Min ; Ruan, Qiujun ; Huang, Yizhong ; Guo, Changlei ; Xu, Huiying ; Che, Kaijun ; Xu, Bin ; Cai, Zhiping

IEEE photonics journal, 2016-04, Vol.8 (2), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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4
0.1-20 THz ultra-broadband perfect absorber via a flat multi-layer structure
0.1-20 THz ultra-broadband perfect absorber via a flat multi-layer structure
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0.1-20 THz ultra-broadband perfect absorber via a flat multi-layer structure

Xu, Gongjie ; Zhang, Jun ; Zang, Xiaofei ; Sugihara, Okihiro ; Zhao, Hongwei ; Cai, Bin

Optics express, 2016-10, Vol.24 (20), p.23177-23185 [Periódico revisado por pares]

United States

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5
0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides
0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides
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0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides

Fischer, U. ; Zinke, T. ; Kropp, J.-R. ; Arndt, F. ; Petermann, K.

IEEE photonics technology letters, 1996-05, Vol.8 (5), p.647-648

IEEE

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6
0.1 ev HgCdTe photodetectors
0.1 ev HgCdTe photodetectors
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0.1 ev HgCdTe photodetectors

Kinch, M.A. ; Borrello, S.R.

Infrared physics, 1975-01, Vol.15 (2), p.111-124

Elsevier B.V

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7
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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8
0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver
0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver
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0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver

Han, Jung-Hee ; Ko, Joon-Won ; Lee, Jae Seung ; Shin, Sang-Yung

IEEE photonics technology letters, 1998-10, Vol.10 (10), p.1501-1503

IEEE

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9
0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD
0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1-μm InAlAs/InGaAs HEMTS with an InP-recess-etch stopper grown by MOCVD

Enoki, Takatomo ; Ito, Hiroshi ; Ikuta, Kenji ; Umeda, Yohtaro ; Ishii, Yasunobu

Microwave and optical technology letters, 1996-02, Vol.11 (3), p.135-139 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT MMICs: a flight qualified technology

CHOU, Y. C ; LEUNG, D ; LAI, R ; GRUNDBACHER, R ; BARSKY, M ; KAN, Q ; TSAI, R

Technical digest - IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium, 2002, p.77-80

Piscataway NJ: IEEE

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